Compact Si1-x Gex/Si Heterojuction Bipolar Transistos Model for Device and Circuit Simulation

M. Andersson, Z. Xia, P. Kuivalainen, H. Pohjonen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1
JulkaisuIEE Proceedings: Circuits, Devices and Systems
Vuosikerta142
Numero1
TilaJulkaistu - 1995
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • Bipolar transistors
  • Heterostructure device physics
  • Modelling

Siteeraa tätä