Characterization of mass-transport grown GaN by hydride vapour phase epitaxy

T. Paskova, P.P. Paskov, S. Goldgas, K. Saarinen, C.F. Carlström, Q. Wahab, B. Monemar

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

5 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut118-128
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta273
TilaJulkaistu - 2004
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • positron

Siteeraa tätä