Characteristics of InGaAs/GaAsN quantum dot solar cells.

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoInternational conference on Nitride Semiconductors-9, Glasgow, UK during July 10-15, 2011.
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

ID: 686621