Catalyst-free growth of In(As)P nanowires on silicon

Marco Mattila, Teppo Hakkarainen, Harri Lipsanen, Hua Jiang, Esko Kauppinen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

84 Sitaatiot (Scopus)
104 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The catalyst-free metal organic vapor phase epitaxial growth of In(As)P nanowires on silicon substrates is investigated using in situ deposited In droplets as seeds for nanowire growth. The thin substrate native oxide is found to play a crucial role in the nanowire formation. The structure of the nanowires is characterized by photoluminescence and electron microscopy measurements. The crystal structure of the InP nanowires is wurtzite with its c axis perpendicular to the nanowire axis. Adding arsenic precursor to the gas phase during growth results in a bimodal photoluminescence spectrum exhibiting peak at the InAsP and InP band gap energies.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli063119
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta89
Numero6
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2006
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • nanowire, InP, silicon, photoluminescence, wurtzite

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Catalyst-free growth of In(As)P nanowires on silicon'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä