Carrier relaxation dynamics in quantum dots: scattering mechanisms and state-filling effects

S. Grosse, J. Sandman, G. von Plessen, J. Feldman, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, J. Ahopelto

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    125 Sitaatiot (Scopus)
    292 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    Stressor-induced InxGa1−xAs quantum dot structures of high structural quality allow a detailed experimental investigation of carrier relaxation between distinct zero-dimensional quantized states. Time-resolved photoluminescence studies combined with appropriate model calculations show that state filling effects, Coulomb scattering, and acoustic phonon scattering determine the relaxation scenario in a way characteristic for a zero-dimensional electronic system. These investigations allow a quantitative estimation of the inter-dot-level relaxation rates mediated by (i) Coulomb scattering and (ii) acoustic phonon scattering.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut4473-4476
    Sivumäärä4
    JulkaisuPhysical Review B
    Vuosikerta55
    Numero7
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 15 helmik. 1997
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • carrier relaxation dynamics
    • quantum dots

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Carrier relaxation dynamics in quantum dots: scattering mechanisms and state-filling effects'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä