Boron doping in gallium oxide from first principles

Jouko Lehtomäki*, Jingrui Li, Patrick Rinke

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)
119 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We study the feasibility of boron doping in gallium oxide (Ga2O3) for neutron detection. Ga2O3 is a wide band gap, radiation-hard material with potential for neutron detection, if it can be doped with a neutron active element. We investigate the boron-10 isotope as possible neutron active dopant. Intrinsic and boron induced defects in Ga2O3 are studied with semi-local and hybrid density-functional-theory calculations. We find that it is possible to introduce boron into gallium sites at moderate concentrations. High concentrations of boron, however, compete with the boron-oxide formation.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli125001
Sivut1-11
Sivumäärä11
JulkaisuJournal of Physics Communications
Vuosikerta4
Numero12
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - jouluk. 2020
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Boron doping in gallium oxide from first principles'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä