Blistering mechanisms of atomic-layer-deposited AlN and Al2O3 films

Mikael Broas*, Hua Jiang, Andreas Graff, Timo Sajavaara, Vesa Vuorinen, Mervi Paulasto-Kröckel

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

19 Sitaatiot (Scopus)
401 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Blistering of protective, structural, and functional coatings is a reliability risk pestering films ranging from elemental to ceramic ones. The driving force behind blistering comes from either excess hydrogen at the film-substrate interface or stress-driven buckling. Contrary to the stress-driven mechanism, the hydrogen-initiated one is poorly understood. Recently, it was shown that in the bulk Al-Al2O3 system, the blistering is preceded by the formation of nano-sized cavities on the substrate. The stress-and hydrogen-driven mechanisms in atomic-layer-deposited (ALD) films are explored here. We clarify issues in the hydrogen-related mechanism via high-resolution microscopy and show that at least two distinct mechanisms can cause blistering in ALD films. Published by AIP Publishing.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli141606
Sivut1-4
Sivumäärä4
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta111
Numero14
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2 lokak. 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Blistering mechanisms of atomic-layer-deposited AlN and Al2O3 films'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä