Black silicon boron emitter solar cells with EQE above 95% in UV

Kexun Chen, Ville Vähänissi, Zahra Jahanshah Rad, Juha Pekka Lehtio, Pekka Laukkanen, Marko Yli-Koski, Hele Savin

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Silicon solar cells are known to suffer from poor UV response because of high reflectance combined with recombination at the front side of the cell - including heavily doped emitter. While black silicon (b-Si) has proven to be excellent technology to overcome the reflectance losses, it has been challenging to integrate it to PERC cells with recombination-free emitter without compromising the optical properties. Here we show that no such tradeoffs are needed when using boron emitter with proper surface passivation. We demonstrate a b-Si emitter that has saturation current as low as 33 fA/cm2 resulting close to 100% EQE even down to 300 nm. This result should be interesting for the PV industry looking for further improvements in their current products.

AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko2020 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC 2020
KustantajaIEEE
Sivut2586-2589
Sivumäärä4
ISBN (elektroninen)9781728161150
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2020
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE Photovoltaic Specialists Conference - Calgary, Kanada
Kesto: 15 kesäkuuta 202021 elokuuta 2020
Konferenssinumero: 47

Julkaisusarja

NimiConference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
ISSN (painettu)0160-8371

Conference

ConferenceIEEE Photovoltaic Specialists Conference
LyhennettäPVSC
MaaKanada
KaupunkiCalgary
Ajanjakso15/06/202021/08/2020

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Black silicon boron emitter solar cells with EQE above 95% in UV'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä