Bipolar Monte Carlo simulation of hot carriers in III-N LEDs

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Lund University
  • University of Glasgow

Kuvaus

We perform fully bipolar Monte Carlo simulations of electrons and holes in III-Nitride multi-quantum well light-emitting diodes (LEDs) to investigate the effects of hot carriers. Our results show how accounting for hot carriers affects the current-voltage characteristics and device efficiency. We also discuss the effects of bandstructure details on the simulation results. Further simulations with versatile QW and EBL configurations are needed to confirm the relationship between hot carrier effects and current-voltage characteristics.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoProceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD
TilaJulkaistu - 10 toukokuuta 2015
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices - Taipei, Taiwan
Kesto: 7 syyskuuta 201511 syyskuuta 2015
Konferenssinumero: 15

Conference

ConferenceInternational Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices
Lyhennettä NUSOD
MaaTaiwan
KaupunkiTaipei
Ajanjakso07/09/201511/09/2015

ID: 1739116