Bipolar Monte Carlo simulation of electrons and holes in III-N LEDs

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoGallium Nitride Materials and Devices X, San Francisco, February 09-12, 2015
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

Julkaisusarja

Nimi
KustantajaInternational Society for Optical Engineering
ISSN (painettu)0277-786X

ID: 1960365