Bipolar Monte Carlo simulation of electrons and holes in III-N LEDs

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

5 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoGallium Nitride Materials and Devices X, San Francisco, February 09-12, 2015
KustantajaSPIE
Sivut93631
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa

Julkaisusarja

Nimi
KustantajaInternational Society for Optical Engineering
ISSN (painettu)0277-786X

Siteeraa tätä