Atomic Scale Formation Mechanism of Edge Dislocation Relieving Lattice Strain in a GeSi overlayer on Si(001)

E. Maras*, L. Pizzagalli, Tapio Ala-Nissilä, H. Jónsson

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

5 Sitaatiot (Scopus)
136 Lataukset (Pure)

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Atomic Scale Formation Mechanism of Edge Dislocation Relieving Lattice Strain in a GeSi overlayer on Si(001)'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Physics & Astronomy