Atomic layer deposition of highly doped Er:Al2O3 and Tm:Al2O3 for silicon-based waveguide amplifiers

John Rönn, Lasse Karvonen, Alexander Pyymaki-Perros, Nasser N. Peyghambarian, Harri Lipsanen, Antti Säynätjoki, Zhipei Sun

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaKonferenssiesitysScientific

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut98910Y
Sivumäärä1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2016
OKM-julkaisutyyppiEi oikeutettu
TapahtumaSilicon Photonics and Photonic Integrated Circuits - Brussels, Belgia
Kesto: 3 huhtikuuta 20167 huhtikuuta 2016
Konferenssinumero: 5

Conference

ConferenceSilicon Photonics and Photonic Integrated Circuits
MaaBelgia
KaupunkiBrussels
Ajanjakso03/04/201607/04/2016

Laitteet

  • Siteeraa tätä

    Rönn, J., Karvonen, L., Pyymaki-Perros, A., Peyghambarian, N. N., Lipsanen, H., Säynätjoki, A., & Sun, Z. (2016). Atomic layer deposition of highly doped Er:Al2O3 and Tm:Al2O3 for silicon-based waveguide amplifiers. 98910Y. Julkaisun esittämispaikka: Silicon Photonics and Photonic Integrated Circuits , Brussels, Belgia. https://doi.org/10.1117/12.2227640