Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 471-475 |
Julkaisu | Chemistry of Materials |
Vuosikerta | 18 |
Tila | Julkaistu - 2006 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Julkaistu artikkeli, soviteltu |
Atomic Layer Deposition of Ga2O3 Films from a Dialkylamido-Based Precursor
Charles L. Dezelah IV, Jaakko Niinistö, Charles H. Winter, Lauri Niinistö
Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
53
Sitaatiot
(Scopus)