Atomic Layer Deposition of Copper Metal Films from Cu(acac)2 and Hydroquinone Reductant

Tripurari Sharan Tripathi, Martin Wilken, Christian Hoppe, Teresa de los Arcos, Guido Grundmeier, Anjana Devi, Maarit Karppinen*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)
34 Lataukset (Pure)

Abstrakti

High-quality copper metal thin films are demanded for a number of advanced technologies. Herein, a facile ALD (atomic layer deposition) process for the fabrication of Cu metal films directly from two solid readily usable precursors, copper acetylacetonate as the source of copper and hydroquinone as the reductant is reported. This process yields highly crystalline, dense, specularly reflecting, and electrically conductive Cu films with an appreciably high growth rate of 1.8 Å/cycle at deposition temperatures as low as 160 to 240 °C.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli2100446
Sivumäärä6
JulkaisuAdvanced Engineering Materials
Vuosikerta23
Numero10
Varhainen verkossa julkaisun päivämäärä26 heinäkuuta 2021
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - lokakuuta 2021
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Atomic Layer Deposition of Copper Metal Films from Cu(acac)2 and Hydroquinone Reductant'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä