Atomic layer deposition (ALD) of high quality Ga2O3 thin films from a dimeric dialkylamido-bridged gallium complex

Charles L. Dezelah IV, Jaakko Niinistö, Matti Putkonen, Kai Arstila, Charles H. Winter, Lauri Niinistö

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    OtsikkoThe AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2005), San Jose, CA, USA, August, 8-10, 2005
    JulkaisupaikkaHelsinki
    KustantajaAmerican vacuum society (AVS)
    TilaJulkaistu - 2005
    OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

    Tutkimusalat

    • ALD
    • atomic layer deposition
    • Ga2O3 thin films

    Siteeraa tätä