Assessment of gate leakage mechanism utilizing Multi-Subband Ensemble Monte Carlo

C. Medina-Bailon*, T. Sadi, C. Sampedro, J. L. Padilla, A. Godoy, L. Donetti, V. Georgiev, F. Gamiz, A. Asenov

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

4 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

The inclusion in advanced device simulators of quantum effects different than standard confinement becomes mandatory to describe device behavior as technology approaches the nanometer scales. This work presents a model to include the gate leakage mechanism considering direct and trap assisted tunneling in Multi-Subband Ensemble Monte Carlo (MS-EMC) simulators. The tool is used for the study of FDSOI and FinFET devices.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoJoint International EUROSOl Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon-ULIS, EUROSOI-ULIS 2017 - Proceedings
ToimittajatAndroula G. Nassiopoulou, Panagiotis Sarafis
KustantajaIEEE
Sivut144-147
Sivumäärä4
ISBN (elektroninen)9781509053131
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 29 kesäkuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaJoint International EUROSOl Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon-ULIS - Athens, Kreikka
Kesto: 3 huhtikuuta 20175 huhtikuuta 2017

Conference

ConferenceJoint International EUROSOl Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon-ULIS
LyhennettäEUROSOI-ULIS
MaaKreikka
KaupunkiAthens
Ajanjakso03/04/201705/04/2017

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Assessment of gate leakage mechanism utilizing Multi-Subband Ensemble Monte Carlo'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä