Are the structures of twist grain boundaries in silicon ordered at 0 K?

S. von Alfthan, P. D. Haynes, Kimmo Kaski, A. P. Sutton

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    100 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    Contrary to previous simulation results on the existence of amorphous intergranular films at high-angle twist grain boundaries (GBs) in elemental solids such as silicon, recent experimental results imply structural order in some high-angle boundaries. With a novel protocol for simulating twist GBs, which allows the number of atoms at the boundary to vary, we have found new low-energy ordered structures. We give a detailed exposition of the results for the simplest boundary. The validity of our results is confirmed by first-principles calculations.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut055505
    Sivumäärä4
    JulkaisuPhysical Review Letters
    Vuosikerta96
    Numero5
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'Are the structures of twist grain boundaries in silicon ordered at 0 K?'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä