Anneling study of oxygenated and non-oxygenated float zone silicon irradiated with 15 MeV protons

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

  • Jaakko Härkönen
  • Eija Tuominen
  • Esa Tuovinen
  • Kati Lassila-Perini
  • J. Nysten
  • Paula Heikkilä
  • Victor Ovchinnikov

  • Marko Yli-Koski

  • L. Palmu
  • S. Kallijärvi
  • T. Alanko
  • P. Laitinen
  • A. Pirojenko
  • I. Riihimäki
  • G. Tiourine
  • A. Virtanen
  • S. Nummela

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut85-91
JulkaisuNuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
Vuosikerta512
Numero1-2
TilaJulkaistu - 2003
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • carrier lifetimes, detectors, radiation defect, surface photovoltage

ID: 4147761