Anisotropic defect structure of indium gallium phoshide on gallium arsenide

J. Riikonen, T. Tuomi, L. Knuuttila, S. Hasennöhrl, P.J. McNally

    Tutkimustuotos: TyöpaperiWorking paperProfessional

    AlkuperäiskieliEnglanti
    JulkaisupaikkaHampuri
    Sivut134-138
    TilaJulkaistu - 2004
    OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

    Julkaisusarja

    NimiHASYLAB Annual Report 2004

    Tutkimusalat

    • indium gallium phoshide
    • synchrotron x-ray topography

    Siteeraa tätä