Analysis of threading dislocations in void shape controlled GaN re-grown on hexagonally patterned mask-less GaN

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Optogan
  • RAS - Ioffe Physico Technical Institute

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut59-64
Sivumäärä6
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta344
Numero1
TilaJulkaistu - 1 huhtikuuta 2012
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 802033