Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Analysis of the impact of dislocation distribution on the breakdown voltage of GaAs-based power varactor diodes

  • P. McNally
  • , P. Herbert
  • , T. Tuomi
  • , M. Karilahti
  • , J. Higgins

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    6 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut8294-8297
    JulkaisuJournal of Physics D: Applied Physics
    Vuosikerta79
    TilaJulkaistu - 1996
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • optoelectronics
    • semiconductors

    Siteeraa tätä