Analysis of the impact of dislocation distribution on the breakdown voltage of GaAs-based power varactor diodes

P. McNally, P. Herbert, T. Tuomi, M. Karilahti, J. Higgins

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    6 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut8294-8297
    JulkaisuJournal of Physics D: Applied Physics
    Vuosikerta79
    TilaJulkaistu - 1996
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • optoelectronics
    • semiconductors

    Siteeraa tätä