Analysis of hydroxyl group controlled atomic layer deposition of hafnium dioxide from hafnium tetrachloride and water

Riikka L. Puurunen*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

88 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

The substrate-inhibited growth in the hafnium tetrachloride (HfCL 4)/water (H2O) atomic layer deposition (ALD) process was studied with two models of ALD. The growth-per-cycle (GPC) of substrate-inhibited (SI)-ALD, increased in the beginning and reached a constant value during the growth process. The chemical basis of modeling were formed by the ligand exchange reaction of hafnium tetrachloride with one surface hydroxyl (OH) group. The steric hinderance in ALD was evaluatevaluated using model A and C.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut4777-4786
Sivumäärä10
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta95
Numero9
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 toukok. 2004
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Analysis of hydroxyl group controlled atomic layer deposition of hafnium dioxide from hafnium tetrachloride and water'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä