Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

An X-Ray topographic analysis of the crystal quality of globally available SiC wafers

  • Ian C. Brazil
  • , Patric J. McNally
  • , N. Ren
  • , Lisa "O'Reilly"
  • , Andreas Danilewsky
  • , Turkka O. Tuomi
  • , Aapo Lankinen
  • , Antti Säynätjoki
  • , Rolf Simon
  • , Stanislav Soloviev
  • , Larry B. Rowland
  • , Peter M. Sandvik

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    1 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut227-230
    JulkaisuMaterials Science Forum
    Numero556-557
    TilaJulkaistu - 2007
    OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

    Tutkimusalat

    • SiC
    • synchrotron topography

    Siteeraa tätä