An evalution of liquid phase epitaxial InGaAs/InAs heterostructures for infra-red devices using synchrotron x-ray topography

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

  • P.J. McNally
  • J. Curley
  • A. Krier
  • Y. Mao
  • J. Richardson
  • T. Tuomi
  • M. Taskinen
  • R. Rantamäki
  • E. Prieur
  • A. Danilewsky

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut345-349
JulkaisuSemiconductor Science and Technology
Vuosikerta13
TilaJulkaistu - 1998
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • InGaAs, Phase epitaxial, x-ray topography

ID: 4903316