Amphoteric Be in GaN: Experimental Evidence for Switching between Substitutional and Interstitial Lattice Sites

Filip Tuomisto, Vera Prozheeva, Ilja Makkonen, Thomas H. Myers, Michal Bockowski, Henryk Teisseyre

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

14 Sitaatiot (Scopus)
50 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We show that Be exhibits amphoteric behavior in GaN, involving switching between substitutional and interstitial positions in the lattice. This behavior is observed through the dominance of BeGa in the positron annihilation signals in Be-doped GaN, while the emergence of VGa at high temperatures is a consequence of the Be impurities being driven to interstitial positions. The similarity of this behavior to that found for Na and Li in ZnO suggests that this could be a universal property of light dopants substituting for heavy cations in compound semiconductors.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli196404
Sivut1-5
JulkaisuPhysical Review Letters
Vuosikerta119
Numero19
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 9 marraskuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Amphoteric Be in GaN: Experimental Evidence for Switching between Substitutional and Interstitial Lattice Sites'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Projektit

    • 2 Päättynyt

    Suuren mittakaavan elektronirakennelaskutekniikat materiaalien karakterisoinnin avuksi

    Makkonen, I., Simula, K. & Prozheeva, V.

    01/09/201521/09/2018

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Suuren mittakaavan elektronirakennelaskutekniikat materiaalien karakterisoinnin avuksi

    Makkonen, I.

    01/09/201522/09/2019

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Laitteet

    Science-IT

    Mikko Hakala (Manager)

    Perustieteiden korkeakoulu

    Laitteistot/tilat: Facility

  • Lehtileikkeet

    Researchers create gallium nitride semiconductors doped with beryllium

    Filip Tuomisto

    10/11/2017

    1 kohde/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

    Siteeraa tätä