AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation

Hironori Okumura, Sami Suihkonen, Jori Lemettinen, Akira Uedono, Yuhao Zhang, Daniel Piedra, Tomás Palacios

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

45 Sitaatiot (Scopus)
341 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We report on the electrical characterization of Si-ion implanted AlN layers and the first demonstration of metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) with an ion-implanted AlN channel. The ion-implanted AlN layers with Si dose of 5 × 1014 cm-2 exhibit n-type characteristics after thermal annealing at 1230°C. The ion-implanted AlN MESFETs provide good drain current saturation and stable pinch-off operation even at 250°C. The off-state breakdown voltage is 2370V for drain-to-gate spacing of 25μm. These results show the great potential of AlN-channel transistors for high-temperature and high-power applications.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli04FR11
Sivumäärä5
JulkaisuJapanese Journal of Applied Physics
Vuosikerta57
Numero4
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 huhtik. 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä