All-parylene flexible wafer-scale graphene thin film transistor

Maria Kim*, David M.A. Mackenzie, Wonjae Kim, Kirill Isakov, Harri Lipsanen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)
66 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Graphene is an ideal candidate as a component of flexible/wearable electronics due to its two-dimensional nature and low gate bias requirements for high quality devices. However, the proven methods for fabrication of graphene thin film transistors (TFTs) on fixed substrates involve using a sacrificial polymer layer to transfer graphene to a desired surface have led to mixed results for flexible devices. Here, by using the same polymer layer (parylene C) for both graphene transfer and the flexible substrate itself, we produced graphene TFTs on the wafer-scale requiring less than |2 V| gate bias and with high mechanical resilience of 30,000 bending cycles.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli149410
Sivumäärä6
JulkaisuApplied Surface Science
Vuosikerta551
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 kesäkuuta 2021
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'All-parylene flexible wafer-scale graphene thin film transistor'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä