Advanced simulation of rram memory cells

Toufik Sadi, Oves Badami, Vihar Georgiev, Jie Ding, Asen Asenov

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

Resistive random-access memories (RRAMs) are overwhelmingly viewed as potential candidates for the next generation of non-volatile memory devices. Here, we discuss the advantages of the kinetic Monte Carlo (KMC) simulation framework for RRAMs. We use a robust KMC simulator to analyze transport in promising oxide structures. The simulator couples self-consistently charge transport and thermal effects in the three-dimensional (3D) space, allowing a realistic reconstruction of the conductive filaments responsible for switching. By presenting insightful results, we argue that using a 3D physical electro-thermal simulator is necessary for understanding RRAM operation and reliability.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoProceedings - 2019 IEEE 13th International Conference on ASIC, ASICON 2019
ToimittajatFan Ye, Ting-Ao Tang
KustantajaIEEE Computer Society
Sivumäärä4
ISBN (elektroninen)9781728107356
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 lokak. 2019
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE International Conference on Advanced Semiconductor Integrated Circuits - Chongqing, Kiina
Kesto: 29 lokak. 20191 marrask. 2019
Konferenssinumero: 13

Julkaisusarja

NimiProceedings of International Conference on ASIC
ISSN (painettu)2162-7541
ISSN (elektroninen)2162-755X

Conference

ConferenceIEEE International Conference on Advanced Semiconductor Integrated Circuits
LyhennettäASICON
Maa/AlueKiina
KaupunkiChongqing
Ajanjakso29/10/201901/11/2019

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Advanced simulation of rram memory cells'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä