A silicon single-electron pump with tunable electrostatic confinement

A. Rossi, T. Tanttu, K. Y. Tan, R. Zhao, K. W. Chan, I. Iisakka, G. C. Tettamanzi, S. Rogge, A. S. Dzurak, Mikko Möttönen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

Nanoscale single-electron pumps could serve as the realization of a new quantum standard of electrical current. Here, a silicon quantum dot with tunable tunnel barriers is used as a source of quantized current. By controlling the electrostatic confinement of the dot via purposely engineered gate electrodes, we show that the stability of the pumping mechanisms can be dramatically enhanced. Our pump can produce a current in excess of 80 pA with experimentally determined relative uncertainty lower than 50 parts per million (ppm).

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoSilicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2014
KustantajaIEEE
ISBN (elektroninen)978-1-4799-5677-7
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 4 joulukuuta 2015
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaIEEE Silicon Nanoelectronics Workshop - Honolulu, Yhdysvallat
Kesto: 8 kesäkuuta 20149 kesäkuuta 2014
Konferenssinumero: 19

Julkaisusarja

NimiIEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
ISSN (painettu)2161-4636

Workshop

WorkshopIEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
LyhennettäSWN
MaaYhdysvallat
KaupunkiHonolulu
Ajanjakso08/06/201409/06/2014
MuuSatellite Workshop of VLSI Symposia

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'A silicon single-electron pump with tunable electrostatic confinement'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä