A primary standard of optical power based on induced-junction silicon photodiodes operated at room temperature

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut197-202
JulkaisuMetrologia
Vuosikerta3
Numero51
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • induced junction, optical power, primary standard, radiometry, silicon photodetector, trap detector

ID: 963091