A primary standard of optical power based on induced-junction silicon photodiodes operated at room temperature

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

10 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut197-202
JulkaisuMetrologia
Vuosikerta3
Numero51
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • induced junction
  • optical power
  • primary standard
  • radiometry
  • silicon photodetector
  • trap detector

Siteeraa tätä