A MoSe2/WSe2 Heterojunction-Based Photodetector at Telecommunication Wavelengths

Hui Xue*, Yadong Wang, Yunyun Dai, Wonjae Kim, Henri Jussila, Mei Qi, Jannatul Susoma, Zhaoyu Ren, Qing Dai, Jianlin Zhao, Kari Halonen, Harri Lipsanen, Xiaomu Wang, Xuetao Gan, Zhipei Sun

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

17 Sitaatiot (Scopus)
49 Lataukset (Pure)

Abstrakti

van der Waals (vdW) heterojunctions enable arbitrary combinations of different layered semiconductors with unique band structures, offering distinctive band engineering for photonic and optoelectronic devices with new functionalities and superior performance. Here, an interlayer photoresponse of a few-layer MoSe2/WSe2 vdW heterojunction is reported. With proper electrical gating and bias, the heterojunction exhibits high-sensitivity photodetection with the operation wavelength extended up to the telecommunication band (i.e. 1550 nm). The photoresponsivity and normalized photocurrent-to-dark current ratio reach up to 127 mA W−1 and 1.9 × 104 mW−1, respectively. The results not only provide a promising solution to realize high-performance vdW telecommunication band photodetectors, but also pave the way for using sub-bandgap engineering of two-dimensional layered materials for photonic and optoelectronic applications.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli1804388
JulkaisuAdvanced Functional Materials
Vuosikerta28
Numero47
Varhainen verkossa julkaisun päivämäärä1 tammikuuta 2018
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 21 marraskuuta 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'A MoSe<sub>2</sub>/WSe<sub>2</sub> Heterojunction-Based Photodetector at Telecommunication Wavelengths'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Projektit

    2D materiaalit THz spektroskopiassa ja kuvantamisessa

    Hulkko, E., Sun, Z., Das, S., Generalov, A. & Uddin, M.

    01/01/201831/12/2021

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    GRACE: Grafeenipohjaiset aktiivisesti moodilukitut ultranopeat laserit

    Turunen, M., Sun, Z., Generalov, A., Dai, Y., Ali, F., Du, L., Hulkko, E., Huang, Y., Autere, A. & Jussila, H.

    01/09/201631/08/2020

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Kvanttiteknologian huippuyksikkö

    Sun, Z., Turunen, M., Wang, Y., Du, L., Bai, X. & Cui, X.

    01/01/201819/05/2020

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Laitteet

    OtaNano

    Anna Rissanen (Manager)

    Aalto-yliopisto

    Laitteistot/tilat: Facility

  • Siteeraa tätä