250 GHz SiGe SPDT Resonator Switch

Yehia Tawfik*, Ahamed Raju, Mikko Varonen, Md Najmussadat, Kari A.I. Halonen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

This work demonstrates a single-pole double-throw resonator switch designed at 250 GHz in 0.13-µm SiGe BiCMOS technology with ft/fmax of 300/500. The resonator switch demonstrates a minimum measured de-embedded insertion loss of 4.2 dB, maximum isolation of 29 dB and minimum input and output reflection coefficient of 16 dB and 20 dB, respectively. The resonator utilizes reverse saturated HBTs.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoEuMIC 2020 - 2020 15th European Microwave Integrated Circuits Conference
KustantajaIEEE
Sivut289-291
Sivumäärä3
ISBN (elektroninen)9782874870606
TilaJulkaistu - 10 tammikuuta 2021
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaEuropean Microwave Integrated Circuits Conference - Utrecht, Alankomaat
Kesto: 11 tammikuuta 202112 tammikuuta 2021
Konferenssinumero: 15

Conference

ConferenceEuropean Microwave Integrated Circuits Conference
LyhennettäEuMIC
Maa/AlueAlankomaat
KaupunkiUtrecht
Ajanjakso11/01/202112/01/2021

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin '250 GHz SiGe SPDT Resonator Switch'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä