Typpi-polaareihin nitridimateriaaleihin pohjautuvat korkean hyötysuhteen tehokomponentit

Projektin yksityiskohdat

Tiivistelmä

Projektin tavoitteena on kehittää korkean taajuuden ja tehotiheyden transistoreita N-polaareista nitridiyhdistepuolijohteista tulevaisuuden ICT-tarpeisiin. Projektissa kehitetään transistorivalmistusteknologiaa lähtien materiaalin synteesista aina uusiin komponenttirakenteisiin asti. Työhön kuuluu myös tärkeimpien transistoreiden toimintaa rajoittavien mekanismien, kuten materiaalivirheet analysointi sekä valmistusprosessin optimointi.
LyhytotsikkoDefame_cost2
TilaPäättynyt
Todellinen alku/loppupvm01/09/201931/08/2021

Sormenjälki

Tutustu tutkimuksen aiheisiin, joita tämä projekti koskee. Nämä merkinnät luodaan taustalla olevien stipendien/apurahojen perusteella. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.