Sähköisesti ohjautuvien oksidien in-situ TEM/STEM -tutkimus

Projektin yksityiskohdat

Tiivistelmä

Viimeaikaiset innovaatiot läpäisyelektronimikroskopiassa (transmission electron microscopy, TEM) ovat mahdollistaneet uraauurtavia in-situ TEM-tekniikoita funktionaalisten nanomateriaalien reaaliaikaiseen kuvantamiseen atomitasolla vaihtelevissa sähköisissä olosuhteissa. Tässä projektissa kehitetään in-situ TEM-menetelmiä resistiivisen siirtymän (resistive switching) ja rakenteellisten faasimuutosten tutkimiseen kompleksioksidimateriaaleissa. Tutkimuksen kohteena olevilla resistiivisen siirtymän ilmiöillä on suurimerkitys tulevaisuuden muisti- ja logiikkapiirien suunnittelussa, ja ionimigraatioon liittyvät faasimuutokset ovat keskeisiä ksidipolttokennojen ja/tai -muistipiirien optimoinnissa. Innovatiivisten in-situ TEM-kokeiden lisäksi projekti sisältää intensiivisen tutkijakoulutusohjelman elektronimikroskopiassa, mikä edistää nanomateriaalien tutkimusta Suomessa yleisimmällä tasolla.
LyhytotsikkoLide Yao AT kulut jatko
TilaPäättynyt
Todellinen alku/loppupvm01/09/201831/08/2020