Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Turkka Tuomi on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
- 1 Samanlaiset profiilit
Yhteistyöt ja huippututkimusalueet viimeisiltä viideltä vuodelta
Viimeisin maa-/aluetasolla toteutettu yhteistyö. Saat tarkempia lisätietoja pisteitä napauttamalla, tai
-
Synchrotron X-ray topography investigation on dislocation propagation in heavily arsenic-doped silicon crystal necks
Lankinen, A., Tuomi, T. O., Anttila, O., Sintonen, S., Kostamo, P., McNally, P. J. & Paulmann, C., 15 helmik. 2026, julkaisussa: Journal of Crystal Growth. 677, 128459.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto4 Lataukset (Pure) -
Geometric determination of direction of dislocations using synchrotron X-ray transmission topography
Tuomi, T. O., Lankinen, A. & Anttila, O., 1 marrask. 2020, julkaisussa: Journal of Synchrotron Radiation. 27, s. 1674-1680 7 SivumääräTutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
1 Sitaatiot (Scopus) -
MOCVD Al(Ga)N Insulator for Alternative Silicon-On-Insulator Structure
Ross, G., Luntinen, V., Broas, M., Suihkonen, S., Tuomi, T., Lankinen, A., Danilewsky, A., Tilli, M. & Paulasto-Kröckel, M., 15 syysk. 2020, Proceedings - 2020 IEEE 8th Electronics System-Integration Technology Conference, ESTC 2020. IEEE, 6 Sivumäärä 9229836Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Conference article in proceedings › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto1 Sitaatiot (Scopus)200 Lataukset (Pure) -
MOVPE growth of GaN on 6-inch SOI-substrates: Effect of substrate parameters on layer quality and strain
Lemettinen, J., Kauppinen, C., Rudzinski, M., Haapalinna, A., Tuomi, T. O. & Suihkonen, S., 6 maalisk. 2017, julkaisussa: Semiconductor Science and Technology. 32, 4, 10 Sivumäärä, 045003.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
9 Sitaatiot (Scopus) -
Evolution of impurity incorporation during ammonothermal growth of GaN
Sintonen, S., Wahl, S., Richter, S., Meyer, S., Suihkonen, S., Schulz, T., Irmscher, K., Danilewsky, A. N., Tuomi, T., Stankiewicz, R. & Albrecht, M., 15 jouluk. 2016, julkaisussa: Journal of Crystal Growth. 456, s. 51-57 7 SivumääräTutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
17 Sitaatiot (Scopus)