Sami Suihkonen

Akatemiatutkija, Tutkija

Tutkimustuotokset

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Selective terahertz emission due to electrically excited 2D plasmons in AlGaN/GaN heterostructure

    Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Vinnichenko, M. Y., Maremyanin, K. V., Artemyev, A. A., Panevin, V. Y., Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Korotyeyev, V. V., Sakharov, A. V. & 6 muuta, Zavarin, E. E., Arteev, D. S., Lundin, W. V., Tsatsulnikov, A. F., Suihkonen, S. & Kauppinen, C., 14 marraskuuta 2019, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 126, 18, 183104.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  3. Sähköinen julkaisu (e-pub) ennen painettua julkistusta

    Metalorganic chemical vapor deposition of aluminum nitride on vertical surfaces

    Österlund, E., Suihkonen, S., Ross, G., Torkkeli, A., Kuisma, H. & Paulasto-Kröckel, M., 11 marraskuuta 2019, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 531, 125345.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  4. Julkaistu

    Terahertz Emission due to Radiative Decay of Hot 2D Plasmons in AlGaN/GaN Heterojunction

    Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Vinnichenko, M. Y., Panevin, V. Y., Maremyanin, K. V., Firsov, D. A., Vorobjev, L. E., Sakharov, A. V., Zavarin, E. E., Arteev, D. S. & 4 muuta, Lundin, W. V., Korotyeyev, V. V., Suihkonen, S. & Kauppinen, C., 1 syyskuuta 2019, IRMMW-THz 2019 - 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. IEEE, 8873862. (International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application

    Sarkar, R., Bhunia, S., Nag, D., Barik, B. C., Das Gupta, K., Saha, D., Ganguly, S., Laha, A., Lemettinen, J., Kauppinen, C. & 4 muuta, Kim, I., Suihkonen, S., Gribisch, P. & Osten, H. J., 5 elokuuta 2019, julkaisussa : Applied Physics Letters. 115, 6, 063502.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  6. Julkaistu

    Nitrogen-polar polarization-doped field-effect transistor based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC with drain current over 100 mA/mm

    Lemettinen, J., Chowdhury, N., Okumura, H., Kim, I., Suihkonen, S. & Palacios, T., 1 elokuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 8, s. 1245-1248 4 Sivumäärä, 8741077.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  7. Julkaistu

    In-situ annealing characterization of atomic-layer-deposited Al2O3 in N2 , H2 and vacuum atmospheres

    Broas, M., Lemettinen, J., Sajavaara, T., Tilli, M., Vuorinen, V., Suihkonen, S. & Paulasto-Kröckel, M., 31 heinäkuuta 2019, julkaisussa : Thin Solid Films. 682, s. 147-155 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  8. Julkaistu

    P-Channel GaN transistor based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si

    Chowdhury, N., Lemettinen, J., Xie, Q., Zhang, Y., Rajput, N. S., Xiang, P., Cheng, K., Suihkonen, S., Then, H. W. & Palacios, T., 1 heinäkuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 7, s. 1036-1039 4 Sivumäärä, 8713471.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  9. Julkaistu

    Two-dimensional plasmons in a GaN/AlGaN heterojunction

    Vinnichenko, M. Y., Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Artemyev, A. A., Melentev, G. A., Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Korotyeyev, V. V., Sakharov, A. V., Zavarin, E. E. & 4 muuta, Arteev, D. S., Lundin, W. V., Kauppinen, C. & Suihkonen, S., 17 huhtikuuta 2019, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 5 Sivumäärä, 012014.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  10. 2018
  11. Julkaistu

    N-polar AlN buffer growth by metal-organic vapor phase epitaxy for transistor applications

    Lemettinen, J., Okumura, H., Palacios, T. & Suihkonen, S., lokakuuta 2018, julkaisussa : APPLIED PHYSICS EXPRESS. 11, 10, 4 Sivumäärä, 101002.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  12. Julkaistu
  13. Julkaistu

    AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation

    Okumura, H., Suihkonen, S., Lemettinen, J., Uedono, A., Zhang, Y., Piedra, D. & Palacios, T., 1 huhtikuuta 2018, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 57, 4, 5 Sivumäärä, 04FR11.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  14. Julkaistu

    MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC

    Lemettinen, J., Okumura, H., Kim, I., Rudzinski, M., Grzonka, J., Palacios, T. & Suihkonen, S., 1 huhtikuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 487, s. 50-56 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  15. Julkaistu

    MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality

    Lemettinen, J., Okumura, H., Kim, I., Kauppinen, C., Palacios, T. & Suihkonen, S., 1 huhtikuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 487, s. 12-16 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  16. 2017
  17. Julkaistu

    Diffusion-Driven Charge Transport in Light Emitting Devices

    Kim, I., Kivisaari, P., Oksanen, J. & Suihkonen, S., 12 joulukuuta 2017, julkaisussa : Materials. 10, 12, s. 1-17 17 Sivumäärä, 1421.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  18. Julkaistu

    Atomic layer etching of gallium nitride (0001)

    Kauppinen, C., Khan, S. A., Sundqvist, J., Suyatin, D. B., Suihkonen, S., Kauppinen, E. I. & Sopanen, M., 1 marraskuuta 2017, julkaisussa : JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A. 35, 6, s. 1-5 5 Sivumäärä, 060603.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  19. Julkaistu

    Excitation and decay of surface plasmon polaritons in n-GaN

    Shalygin, V. A., Melentev, G. A., Vorobjev, L. E., Panevin, V. Y., Firsov, D. A., Korotyeyev, V. V., Lyaschuk, Y. M., Kochelap, V. A. & Suihkonen, S., 15 elokuuta 2017, 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors. IOP, Vuosikerta 864. 4 Sivumäärä 012073. (IOP Conference Series - Journal of Physics: Conference Series; painos 864).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  20. Julkaistu

    Defects in Single Crystalline Ammonothermal Gallium Nitride

    Suihkonen, S., Pimputkar, S., Sintonen, S. & Tuomisto, F., kesäkuuta 2017, julkaisussa : Advanced Electronic Materials. 3, 6, s. 1-18 1600496.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  21. Julkaistu
  22. Julkaistu

    Bulk plasmon-phonon polaritons in n-GaN

    Orlov, E. Y., Melentev, G. A., Shalygin, V. A. & Suihkonen, S., 11 huhtikuuta 2017, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 10 Sivumäärä, 012004.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  23. Julkaistu

    MOVPE growth of GaN on 6-inch SOI-substrates: Effect of substrate parameters on layer quality and strain

    Lemettinen, J., Kauppinen, C., Rudzinski, M., Haapalinna, A., Tuomi, T. O. & Suihkonen, S., 6 maaliskuuta 2017, julkaisussa : Semiconductor Science and Technology. 32, 4, 10 Sivumäärä, 045003.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  24. Julkaistu

    Elimination of resistive losses in large-area LEDs by new diffusion-driven devices

    Kivisaari, P., Kim, I., Suihkonen, S. & Oksanen, J., 2017, Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXI. Kim, JK., Krames, MR., Tu, LW. & Strassburg, M. (toim.). SPIE - The International Society for Optical Engineering, 101240Z. (Proceedings of SPIE : the International Society for Optical Engineering; painos 10124).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  25. 2016
  26. Julkaistu

    A new system for sodium flux growth of bulk GaN: Part I : System development

    Von Dollen, P., Pimputkar, S., Alreesh, M. A., Albrithen, H., Suihkonen, S., Nakamura, S. & Speck, J. S., 15 joulukuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 456, s. 58-66 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  27. Julkaistu

    Evolution of impurity incorporation during ammonothermal growth of GaN

    Sintonen, S., Wahl, S., Richter, S., Meyer, S., Suihkonen, S., Schulz, T., Irmscher, K., Danilewsky, A. N., Tuomi, T., Stankiewicz, R. & 1 muuta, Albrecht, M., 15 joulukuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 456, s. 51-57 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  28. Julkaistu

    Incorporation and effects of impurities in different growth zones within basic ammonothermal GaN

    Sintonen, S., Kivisaari, P., Pimputkar, S., Suihkonen, S., Schulz, T., Speck, J. S. & Nakamura, S., 15 joulukuuta 2016, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 456, s. 43-50 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  29. Julkaistu

    Terahertz absorption in GaN epitaxial layers under lateral electric field

    Balagula, R. M., Vinnichenko, M. Y., Melentev, G. A., Moldavskaya, M. D., Shalygin, V. A., Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Danilov, S. N. & Suihkonen, S., 15 syyskuuta 2016, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 741, 1, 6 Sivumäärä, 012147.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  30. Julkaistu

    Infrared absorption of hydrogen-related defects in ammonothermal GaN

    Suihkonen, S., Pimputkar, S., Speck, J. S. & Nakamura, S., 16 toukokuuta 2016, julkaisussa : Applied Physics Letters. 108, 20, 4 Sivumäärä, 202105.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  31. Julkaistu

    Stability of materials in supercritical ammonia solutions

    Pimputkar, S., Malkowski, T. F., Griffiths, S., Espenlaub, A., Suihkonen, S., Speck, J. S. & Nakamura, S., 1 huhtikuuta 2016, julkaisussa : JOURNAL OF SUPERCRITICAL FLUIDS. 110, s. 193-229 37 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  32. Julkaistu

    Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation

    Melentev, G. A., Shalygin, V. A., Vorobjev, L. E., Panevin, V. Y., Firsov, D. A., Riuttanen, L., Suihkonen, S., Korotyeyev, V. V., Lyaschuk, Y. M., Kochelap, V. A. & 1 muuta, Poroshin, V. N., 7 maaliskuuta 2016, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 119, 9, 12 Sivumäärä, 093104.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  33. Julkaistu

    Plasmon phonon modes and optical resonances in n-GaN

    Melentev, G. A., Yaichnikov, D. Y., Shalygin, V. A., Vinnichenko, M. Y., Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Riuttanen, L. & Suihkonen, S., 26 helmikuuta 2016, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 690, 1, 8 Sivumäärä, 012005.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  34. Julkaistu

    A technique for large-area position-controlled growth of GaAs nanowire arrays

    Kauppinen, C., Haggren, T., Kravchenko, A., Jiang, H., Huhtio, T., Kauppinen, E., Dhaka, V., Suihkonen, S., Kaivola, M., Lipsanen, H. & 1 muuta, Sopanen, M., 22 helmikuuta 2016, julkaisussa : Nanotechnology. 27, 13, 6 Sivumäärä, 135601.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  35. 2015
  36. Julkaistu

    Free electron concentration dependent sub-bandgap optical absorption characterization of bulk GaN crystals

    Pimputkar, S., Suihkonen, S., Imade, M., Mori, Y., Speck, J. S. & Nakamura, S., 15 joulukuuta 2015, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 432, s. 49-53 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  37. Julkaistu

    Electrical injection to contactless near-surface InGaN quantum well

    Riuttanen, L., Kivisaari, P., Svensk, O., Oksanen, J. & Suihkonen, S., 3 elokuuta 2015, julkaisussa : Applied Physics Letters. 107, 5, 051106.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  38. Julkaistu

    Diffusion-driven current transport to near-surface nanostructures

    Kivisaari, P., Riuttanen, L., Suihkonen, S. & Oksanen, J., 10 toukokuuta 2015, Proceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD. IEEE Computer Society, s. 117-118 2 Sivumäärä 7292850

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  39. Julkaistu

    Optical and electrical properties of GaN: Si-based microstructures with a wide range of doping levels

    Agekyan, V. F., Borisov, E. V., Vorobjev, L. E., Melentyev, G. A., Nykänen, H., Riuttanen, L., Serov, A. Y., Suihkonen, S., Svensk, O., Filisofov, N. G. & 2 muuta, Shalygin, V. A. & Shelukhin, L. A., 1 huhtikuuta 2015, julkaisussa : PHYSICS OF THE SOLID STATE. 57, 4, s. 787-793 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  40. Julkaistu

    Application of UVA-LED based photocatalysis for plywood mill wastewater treatment

    Levchuk, I., Rueda-Márquez, J. J., Suihkonen, S., Manzano, M. A. & Sillanpää, M., 25 maaliskuuta 2015, julkaisussa : Separation and Purification Technology. 143, s. 1-5 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  41. Julkaistu

    Diffusion injection in a buried multiquantum well light-emitting diode structure

    Riuttanen, L., Kivisaari, P., Svensk, O., Oksanen, J. & Suihkonen, S., 2015, julkaisussa : IEEE Transactions on Electron Devices. 62, 3, s. 902-908 7 Sivumäärä, 7031878.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  42. Julkaistu

    Terahertz reflection and emission associated with nonequilibrium surface plasmon polaritons in n-GaN

    Melentyev, G. A., Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Panevin, V. Y., Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Nykänen, H., Riuttanen, L., Svensk, O. & Suihkonen, S., 2015, 16th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, St. Petersburg, Russia, November 24-28, 2014. IOP, 6 Sivumäärä (Journal of Physics: Conference Series; painos 586).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  43. Julkaistu

    Vertical excitation profile in diffusion injected multi-quantum well light emitting diode structure

    Riuttanen, L., Kivisaari, P., Svensk, O., Vasara, T., Myllys, P., Oksanen, J. & Suihkonen, S., 2015, Gallium Nitride Materials and Devices X. Vuosikerta 9363. 93632A

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  44. 2014
  45. Julkaistu

    Defect structure of a free standing GaN wafer grown by the ammonothermal method

    Sintonen, S., Suihkonen, S., Jussila, H., Lipsanen, H., Tuomi, T. O., Letts, E., Hoff, S. & Hashimoto, T., 15 marraskuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 406, s. 72-77 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  46. Julkaistu

    Effect of growth temperature on the epitaxial growth of ZnO on GaN by ALD

    Särkijärvi, S., Sintonen, S., Tuomisto, F., Bosund, M., Suihkonen, S. & Lipsanen, H., 15 heinäkuuta 2014, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 398, s. 18-22 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  47. Julkaistu

    Diffusion injected multi-quantum well light-emitting diode structure

    Riuttanen, L., Kivisaari, P., Nykänen, H., Svensk, O., Suihkonen, S., Oksanen, J., Tulkki, J. & Sopanen, M., 2014, julkaisussa : Applied Physics Letters. 104

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  48. Julkaistu

    Large-area analysis of dislocations in ammonothermal GaN by synchrotron radiation X-ray topography

    Sintonen, S., Suihkonen, S., Jussila, H., Danilewsky, A., Stankiewicz, R., Tuomi, T. O. & Lipsanen, H., 2014, julkaisussa : APPLIED PHYSICS EXPRESS. 7, 9, s. 1-4 4 Sivumäärä, 091003.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  49. Julkaistu
  50. Julkaistu

    Synchrotron radiation x-ray topography and defect selective etching analysis of threading dislocations in GaN.

    Sintonen, S., Rudzinski, M., Suihkonen, S., Jussila, H., Knetzger, M., Meissner, E., Danilewsky, A., Tuomi, T. O. & Lipsanen, H., 2014, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 116, 8, s. 1-9 9 Sivumäärä, 083504.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  51. Julkaistu

    Terahertz emission and reflection associated with surface plasmon polaritons in n-GaN microstructures

    Melentyev, G. A., Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Panevin, V. Y., Vorobjev, L. E., Poroshin, V. N., Nykanen, H., Riuttanen, L., Svensk, O. & Suihkonen, S., 2014, 39th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz waves (IRMMW-THz), The University of Arizona, Tucson, AZ, USA, September 14-19, 2014.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  52. 2013
  53. Julkaistu
  54. Julkaistu

    Migration kinetics of ion-implanted beryllium in ZnO and GaN

    Koskelo, O., Köster, U., Tuomisto, F., Helariutta, K., Sopanen, M., Suihkonen, S., Svensk, O. & Räisänen, J., 22 elokuuta 2013, julkaisussa : Physica Scripta. 88, 3, s. 1-5 5 Sivumäärä, 035603.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  55. Julkaistu

    Evaluation of critical thickness of GaP0.98N0.02 layer on GaP substrate by synchrotron X-ray diffraction topography

    Jussila, H., Subramaniyam, N., Sintonen, S., Suihkonen, S., Lankinen, A., Huhtio, T., Paulmann, C., Lipsanen, H., Tuomi, T. & Sopanen, M., 1 toukokuuta 2013, julkaisussa : Thin Solid Films. 534, s. 680-684 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  56. Julkaistu

    Fabrication of GaN Structures with Embedded Network of Voids Using Pillar Patterned GaN Templates

    Svensk, O., Ali, M., Riuttanen, L., Törmä, P., Sintonen, S., Suihkonen, S., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 1 toukokuuta 2013, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 370, s. 42-45 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  57. Julkaistu
Edellinen 1 2 3 Seuraava

ID: 98569