Sami Suihkonen

  • Puhelin+358503618657
  • Tietotie 3

20062020

Tutkimustuotoksia vuodessa

Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Henkilökohtainen profiili

Koulutus / tieteellinen pätevyys

Tekn. toht., sähkötekniikka

Dipl.ins., sähkötekniikka

Keywords

  • Optoelectronics
  • GaN
  • LEDs

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Sami Suihkonen on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • 9 Samanlaiset profiilit

Verkko Viimeisin maatasolla toteutettu yhteistyö. Saat syvempiä lisätietoja pisteitä napsauttamalla.

Tutkimustuotos

2D electrons and 2D plasmons in AlGaN/GaN nanostructure under highly non-equilibrium conditions

Loginov, L. A., Shalygin, V. A., Moldavskaya, M. D., Vinnichenko, M. Y., Firsov, D. A., Maremyanin, K. V., Sakharov, A. V., Zavarin, E. E., Arteev, D. S., Lundin, W. V., Kauppinen, C. & Suihkonen, S., 25 maaliskuuta 2020, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012022.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliConference articleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
  • 5 Lataukset (Pure)

    Metalorganic chemical vapor deposition of aluminum nitride on vertical surfaces

    Österlund, E., Suihkonen, S., Ross, G., Torkkeli, A., Kuisma, H. & Paulasto-Kröckel, M., 1 helmikuuta 2020, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 531, 125345.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • MOVPE growth of GaN on patterned 6-inch Si wafer

    Kim, I., Holmi, J., Raju, R., Haapalinna, A. & Suihkonen, S., 20 huhtikuuta 2020, julkaisussa : Journal of Physics Communications. 4, 4, s. 45010

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 8 Lataukset (Pure)

    Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application

    Sarkar, R., Bhunia, S., Nag, D., Barik, B. C., Das Gupta, K., Saha, D., Ganguly, S., Laha, A., Lemettinen, J., Kauppinen, C., Kim, I., Suihkonen, S., Gribisch, P. & Osten, H. J., 5 elokuuta 2019, julkaisussa : Applied Physics Letters. 115, 6, 063502.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • In-situ annealing characterization of atomic-layer-deposited Al2O3 in N2 , H2 and vacuum atmospheres

    Broas, M., Lemettinen, J., Sajavaara, T., Tilli, M., Vuorinen, V., Suihkonen, S. & Paulasto-Kröckel, M., 31 heinäkuuta 2019, julkaisussa : Thin Solid Films. 682, s. 147-155 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • Projektit

    Typpi-polaareihin nitridimateriaaleihin pohjautuvat korkean hyötysuhteen tehokomponentit

    Suihkonen, S. & Kim, I.

    01/09/201931/08/2021

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    DeFaMe: Kidevirheiden aiheuttamat hajoamismekanismit nitridipuolijohdekomponenteissa.

    Suihkonen, S.

    01/09/201631/08/2021

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Valon termodynamiikkaan perustuvat lämmitys- ja jäähdytysratkaisut

    Khayrudinov, V., Raju, R., Kim, I., Suihkonen, S., Sippola, P., Lipsanen, H., Mäntynen, H. & Isakov, K.

    01/01/201531/12/2018

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Aktiviteetit

    • 4 Vierailu ulkomaille
    • 3 Hosting a visitor
    • 2 Konferenssiesitelmä

    Hironori Okumura

    Sami Suihkonen (Host)
    1 tammikuuta 2015

    Aktiviteetti: Hosting a visitor

    Mariusz Rudzinski

    Sami Suihkonen (Host)
    1 tammikuuta 2013

    Aktiviteetti: Hosting a visitor

    University of California

    Sami Suihkonen (Visiting researcher)
    2013

    Aktiviteetti: Vierailu ulkomaille

    IOFFE-Institute

    Sami Suihkonen (Visiting researcher)
    2010

    Aktiviteetti: Vierailu ulkomaille

    Marius Rudzinski

    Sami Suihkonen (Host)
    1 tammikuuta 2010

    Aktiviteetti: Hosting a visitor

    Lehtileikkeet

    A SOI Wafer Is A Suitable Substrate For Gallium Nitride Crystals

    Sami Suihkonen & Jori Lemettinen

    03/03/201708/03/2017

    2 kohdetta/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

    A SOI wafer is a suitable substrate for gallium nitride crystals

    Sami Suihkonen, Jori Lemettinen, Christoffer Kauppinen & Turkka Tuomi

    02/03/201706/03/2017

    7 kohdetta/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

    Silicon On Insulator Wafer Proves Useful for Microelectronics

    Sami Suihkonen & Jori Lemettinen

    06/03/2017

    1 kohde/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa