!!Research output per year
!!Research output per year
Henkilökohtainen profiili
Koulutus / tieteellinen pätevyys
Master's degree, Engineering and Technology
Myöntöpäivä: 26 elok. 2024
Asiantuntemus YK:n kestävän kehityksen tavoitteista
Vuonna 2015 YK:n jäsenvaltiot sopivat 17 maailmanlaajuisesta kestävän kehityksen tavoitteesta köyhyyden poistamiseksi, planeetan suojelemiseksi ja vaurauden takaamiseksi kaikille. Tämän henkilön työ edistää seuraavia kestävän kehityksen tavoitteita:
-
SDG 7 – Edullinen ja puhdas energia
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Oskari Leiviskä on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
- 1 Samanlaiset profiilit
Yhteistyöt ja huippututkimusalueet viimeisiltä viideltä vuodelta
Viimeisin maa-/aluetasolla toteutettu yhteistyö. Saat tarkempia lisätietoja pisteitä napauttamalla, tai
-
(oral talk) Nanostructured photodiodes for improved sensitivity over wide spectral range
Savin, H., Setälä, O., Vähänissi, V., Leiviskä, O., Terletskaia, M., Isometsä, J. & Viuho, J., 8 heinäk. 2026.Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu
-
(poster) Implementation of black silicon CCD for astronomical observations at the Nordic Optical Telescope
Kuncarayakti, H., Savin, H., Viuho, J., Bredthauer, G., Leiviskä, O., Mattila, S., Setälä, O., Tufts, J., Vähänissi, V. & Väisänen, P., 9 heinäk. 2026.Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu
-
Electric Field Distribution in Black Silicon Needles Under Reverse Bias: A TCAD Simulation Study
Leiviskä, O., Setälä, O., Vähänissi, V. & Savin, H., 27 helmik. 2026, (Jätetty).Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu
-
Implementation of black silicon CCD for astronomical observations at the Nordic Optical Telescope
Kuncarayakti, H., Savin, H., Viuho, J., Bredthauer, G., Leiviskä, O., Mattila, S., Setälä, O., Tufts, J., Vähänissi, V. & Väisänen, P., 21 elok. 2026, Proceedings SPIE 14149: Ground-based and Airborne Instrumentation for Astronomy XI. Vuosikerta 14149. s. 14149B1 6 Sivumäärä (SPIE Conference Proceedings).Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Conference article in proceedings › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto1 Lataukset (Pure) -
(poster) ALD SiO2 provides efficient Ge surface passivation with a tailorable charge polarity
Leiviskä, O., Liu, H., Fung, J., Isometsä, J., Vähänissi, V. & Savin, H., 2024.Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto76 Lataukset (Pure)
Projektit
- 1 Päättynyt
-
NIR: Super-sensitive ?/X- and NIR-radiation detectors via defect-free nanostructures: Next Imaging Revolution?
Vähänissi, V. (Vastuullinen johtaja), Savin, H. (Projektin jäsen), Räisänen, S. (Projektin jäsen), Leiviskä, O. (Projektin jäsen), Ayedh, H. (Projektin jäsen), Gosalvez, S. (Projektin jäsen), Terletskaia, M. (Projektin jäsen), Lahtiluoma, L. (Projektin jäsen), Liu, H. (Projektin jäsen), Setälä, O. (Projektin jäsen), Suolinna, J. (Projektin jäsen) & Radfar, B. (Projektin jäsen)
01/09/2020 → 31/08/2024
Projekti: RCF Academy Project
Aktiviteetit
- 3 Konferenssiesitelmä
-
Nanostructured photodiodes for improved sensitivity over wide spectral range
Savin, H. (Puhuja), Setälä, O. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori), Leiviskä, O. (Kontribuuttori), Terletskaia, M. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori) & Viuho, J. (Kontribuuttori)
8 heinäk. 2026Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium
Liu, H. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Leiviskä, O. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Fung, J. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori), Miettinen, M. (Kontribuuttori), Laukkanen, P. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
8 syysk. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Controlling charge polarity and defect density at Ge/Al2O3 interface using SiNx interlayer
Liu, H. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Fung, T. H. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Leiviskä, O. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
13 syysk. 2022Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä