Tutkimustuotoksia vuodessa
Tutkimustuotoksia vuodessa
Henkilökohtainen profiili
Koulutus / tieteellinen pätevyys
Master's degree, Engineering and Technology, Aalto University
Myöntöpäivä: 26 elok. 2024
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Oskari Leiviskä on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
- 1 Samanlaiset profiilit
Yhteistyöt ja huippututkimusalueet viimeisiltä viideltä vuodelta
Viimeisin maa-/aluetasolla toteutettu yhteistyö. Saat tarkempia lisätietoja pisteitä napauttamalla, tai
-
(poster) ALD SiO2 provides efficient Ge surface passivation with a tailorable charge polarity
Leiviskä, O., Liu, H., Fung, J., Isometsä, J., Vähänissi, V. & Savin, H., 2024.Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto73 Lataukset (Pure) -
(oral talk) Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium
Liu, H., Pasanen, T., Leiviskä, O., Isometsä, J., Fung, J., Yli-Koski, M., Miettinen, M., Laukkanen, P. J., Vähänissi, V. & Savin, H., 2023.Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu
-
Atomic Layer Deposition of Titanium Oxide-Based Films for Semiconductor Applications–Effects of Precursor and Operating Conditions
Matkivskyi, V., Leiviskä, O., Wenner, S., Hanchen, L., Vahanissi, V., Savin, H., Di Sabatino, M. & Tranell, G., elok. 2023, julkaisussa: Materials. 16, 16, 5522.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto6 Sitaatiot (Scopus)99 Lataukset (Pure) -
Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon
Liu, H., Pasanen, T., Fung, J., Isometsä, J., Leiviskä, O., Vähänissi, V. & Savin, H., tammik. 2023, julkaisussa: Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science. 220, 2, 6 Sivumäärä, 2200690.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto11 Sitaatiot (Scopus)175 Lataukset (Pure) -
Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance
Fung, J., Isometsä, J., Lehtiö, J. P., Pasanen, T., Liu, H., Leiviskä, O., Laukkanen, P., Savin, H. & Vähänissi, V., 27 elok. 2023, julkaisussa: Nanotechnology. 34, 35, 9 Sivumäärä, 355201.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto5 Sitaatiot (Scopus)209 Lataukset (Pure)
Projektit
- 1 Päättynyt
-
NIR: Super-sensitive ?/X- and NIR-radiation detectors via defect-free nanostructures: Next Imaging Revolution?
Vähänissi, V. (Vastuullinen johtaja), Savin, H. (Projektin jäsen), Räisänen, S. (Projektin jäsen), Leiviskä, O. (Projektin jäsen), Ayedh, H. (Projektin jäsen), Gosalvez, S. (Projektin jäsen), Terletskaia, M. (Projektin jäsen), Lahtiluoma, L. (Projektin jäsen), Liu, H. (Projektin jäsen), Setälä, O. (Projektin jäsen), Suolinna, J. (Projektin jäsen) & Radfar, B. (Projektin jäsen)
01/09/2020 → 31/08/2024
Projekti: RCF Academy Project
Aktiviteetit
- 2 Konferenssiesitelmä
-
Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium
Liu, H. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Leiviskä, O. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Fung, J. (Kontribuuttori), Yli-Koski, M. (Kontribuuttori), Miettinen, M. (Kontribuuttori), Laukkanen, P. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
8 syysk. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Controlling charge polarity and defect density at Ge/Al2O3 interface using SiNx interlayer
Liu, H. (Puhuja), Pasanen, T. (Kontribuuttori), Fung, T. H. (Kontribuuttori), Isometsä, J. (Kontribuuttori), Leiviskä, O. (Kontribuuttori), Vähänissi, V. (Kontribuuttori) & Savin, H. (Kontribuuttori)
13 syysk. 2022Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä