Tutkimustuotoksia vuodessa
Tutkimustuotoksia vuodessa
Sormenjälki
Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Oskari Leiviskä on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.
- 1 Samanlaiset profiilit
Yhteistyöt ja huippututkimusalueet viimeisiltä viideltä vuodelta
Viimeisin maa-/aluetasolla toteutettu yhteistyö. Saat tarkempia lisätietoja pisteitä napauttamalla, tai
-
(oral talk) Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium
Liu, H., Pasanen, T., Leiviskä, O., Isometsä, J., Fung, J., Yli-Koski, M., Miettinen, M., Laukkanen, P. J., Vähänissi, V. & Savin, H., 2023.Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Poster › Scientific › vertaisarvioitu
-
Atomic Layer Deposition of Titanium Oxide-Based Films for Semiconductor Applications–Effects of Precursor and Operating Conditions
Matkivskyi, V., Leiviskä, O., Wenner, S., Hanchen, L., Vahanissi, V., Savin, H., Di Sabatino, M. & Tranell, G., elok. 2023, julkaisussa: Materials. 16, 16, 5522.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto8 Lataukset (Pure) -
Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon
Liu, H., Pasanen, T., Fung, J., Isometsä, J., Leiviskä, O., Vähänissi, V. & Savin, H., tammik. 2023, julkaisussa: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 220, 2, 6 Sivumäärä, 2200690.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto4 Sitaatiot (Scopus)34 Lataukset (Pure) -
Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance
Fung, J., Isometsä, J., Lehtiö, J. P., Pasanen, T., Liu, H., Leiviskä, O., Laukkanen, P., Savin, H. & Vähänissi, V., 27 elok. 2023, julkaisussa: Nanotechnology. 34, 35, 9 Sivumäärä, 355201.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto56 Lataukset (Pure) -
Plasma-enhanced atomic layer deposited SiO2 enables positive thin film charge and surface recombination velocity of 1.3 cm/s on germanium
Liu, H., Pasanen, T., Leiviskä, O., Isometsä, J., Fung, J., Yli-Koski, M., Miettinen, M., Laukkanen, P., Vähänissi, V. & Savin, H., 9 toukok. 2023, julkaisussa: Applied Physics Letters. 122, 19, 191602.Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto1 Sitaatiot (Scopus)23 Lataukset (Pure)
Aktiviteetit
- 2 Konferenssiesitelmä
-
Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium
Hanchen Liu (Puhuja), Toni Pasanen (Kontribuuttori), Oskari Leiviskä (Kontribuuttori), Joonas Isometsä (Kontribuuttori), John Fung (Kontribuuttori), Marko Yli-Koski (Kontribuuttori), Mikko Miettinen (Kontribuuttori), Pekka Laukkanen (Kontribuuttori), Ville Vähänissi (Kontribuuttori) & Hele Savin (Kontribuuttori)
8 syysk. 2023Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä
-
Controlling charge polarity and defect density at Ge/Al2O3 interface using SiNx interlayer
Hanchen Liu (Puhuja), Toni Pasanen (Kontribuuttori), Tsun Hang Fung (Kontribuuttori), Joonas Isometsä (Kontribuuttori), Oskari Leiviskä (Kontribuuttori), Ville Vähänissi (Kontribuuttori) & Hele Savin (Kontribuuttori)
13 syysk. 2022Aktiviteetti: Konferenssiesitelmä