Tutkimustuotoksia vuodessa
Tutkimustuotoksia vuodessa
Hakutulokset
-
2021
Learning experiences from digital laboratory safety training
Viitaharju, P., Yliniemi, K., Nieminen, M. & Karttunen, A. J., tammik. 2021, julkaisussa: Education for chemical engineers. 34, s. 87-93 7 SivumääräTutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
Open accessTiedosto14 Sitaatiot (Scopus)17 Lataukset (Pure) -
2004
Magnesium aluminate thin films by atomic layer deposition from organometallic precursors and water
Putkonen, M., Nieminen, M. & Niinistö, L., 2004, julkaisussa: Thin Solid Films. 466, s. 103-107Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
16 Sitaatiot (Scopus) -
2001
Surface-controlled growth of LaAlO3 thin films by atomic layer epitaxy
Nieminen, M., Sajavaara, T., Rauhala, E., Putkonen, M. & Niinistö, L., 2001, julkaisussa: Journal of Materials Chemistry. 11, 9, s. 2340-2345 6 SivumääräTutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
-
2000
Growth of group 3 oxide thin films by atomic layer epitaxy
Nieminen, M., Putkonen, M., Rauhala, E., Sajavaara, T., Niinistö, J. & Niinistö, L., 2000, s. 37, (Finnish Chemical Congress and Exhibition, Helsinki, Finland, November 15-17, 2000).Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional
-
1999
Determination of Aluminium in AlCl_3 and Al_(2)O_3 Modified Catalyst Supports
Nieminen, M. & Niinistö, L., 1999, julkaisussa: Fresenius' Journal of Analytical Chemistry. 364, s. 224-227Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
-
1998
Determination of Aluminium in AlCl3 and Al2O3 Modified Silica Catalyst Supports
Nieminen, M. & Niinistö, L., 1998, s. 11, (Finnish Chemical Congress and Exhibition, Helsinki, November 3-5, 1998).Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional
3 Sitaatiot (Scopus) -
1997
Deposition of LaNiO3 thin films in an atomic layer epitaxy reactor
Seim, H., Mölsä, H., Nieminen, M., Fjellvåg, H. & Niinistö, L., 1997, julkaisussa: Journal of Materials Chemistry. 7, s. 449-454Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
67 Sitaatiot (Scopus) -
Growth of LaCoO3 thin films from ß-diketonate precursors
Seim, H., Nieminen, M., Niinistö, L., Fjellvåg, H. & Johansson, L-S., 1997, julkaisussa: Applied Surface Science. 112, s. 243-250Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
68 Sitaatiot (Scopus) -
Recent developments in depositing oxide thin films of perovskite-type by atomic layer epitaxy (ALE)
Niinistö, L., Nieminen, M., Mölsä, H., Johansson, L-S., Rauhala, E., Nilsen, O., Seim, H. & Fjellvåg, H., 1997, (4th International Workshop on Oxide Electronics, Maryland, USA, December 8-9, 1997).Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional
-
1996
Covering of porous silicon pores by atomic layer epitaxy
Utriainen, M., Lehto, S., Nieminen, M., Niinistö, L., Ducsö, C., Khan, N. Q., Horvath, Z. & Barsony, I., 1996, Helsinki, s. 74, (The 9th Symposium on Inorganic and Analytical Chemistry, Helsinki, 24.5.1996).Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional
-
Deposition of tin oxide into porous silicon by atomic layer epitaxy
Ducsö, C., Khanh, N., Horvath, Z., Barsony, I., Utriainen, M., Lehto, S., Nieminen, M. & Niinistö, L., 1996, julkaisussa: Journal of the Electrochemical Society. 143, s. 683-687Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
66 Sitaatiot (Scopus) -
Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy
Nieminen, M., Niinistö, L. & Rauhala, E., 1996, julkaisussa: Journal of Materials Chemistry. 6, s. 27-31Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
76 Sitaatiot (Scopus) -
Growth of LaCoO3 thin films from ß-diketonate precursors
Seim, H., Nieminen, M., Niinistö, L. & Fjellvåg, H., 1996, Atomic layer epitaxy and related surface processes, ALE-4, Linz, Itävalta, 29.-31.7.1996. s. p Tu 12:25Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Conference contribution › Scientific › vertaisarvioitu
68 Sitaatiot (Scopus) -
Optimization of growth parameters for the deposition of AlCl3 and Al2O3 on silica by atomic layer epitaxy
Nieminen, M. & Niinistö, L., 1996, Helsinki, s. 53, (The 9th Symposium on Inorganic and Analytical Chemistry, Helsinki, 24.5.1996).Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional
-
Thin films and overlayers by ALE for advanced applications
Kröger, M., Leskelä, T., Nieminen, M., Niinistö, L., Nykänen, E. & Utriainen, M., 1996, s. p., (17th Estonian Chemistry Days, Tartto, Viro, 19.-20.4.1996).Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional
-
1995
Determination of P/Al ratio in phosphorus-doped aluminium oxide thin films by XRF, RBS and FTIR
Nieminen, M., Niinistö, L. & Lappalainen, R., 1995, julkaisussa: Microchimica Acta. 119, s. 13-22Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › Article › Scientific › vertaisarvioitu
33 Sitaatiot (Scopus) -
1994
Growth of oxide thin films by atomic layer epitaxy
Mölsä, H., Nieminen, M., Viirola, H. & Niinistö, L., 1994, Turku, s. 80-81, (8. Kansallinen epäorgaanisen ja analyyttisen kemian symposium, Tiivistelmät ja ohjelmat, Turku, 20.5.1994).Tutkimustuotos: Työpaperi › Working paper › Professional