20102019

Tutkimustuotoksia vuodessa

Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Henkilökohtainen profiili

Koulutus / tieteellinen pätevyys

Dipl.ins., sähkötekniikka

Tekn. kand., sähkötekniikka

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Jori Lemettinen on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • 7 Samanlaiset profiilit

Verkko Viimeisin maatasolla toteutettu yhteistyö. Saat syvempiä lisätietoja pisteitä napsauttamalla.

Tutkimustuotos

Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application

Sarkar, R., Bhunia, S., Nag, D., Barik, B. C., Das Gupta, K., Saha, D., Ganguly, S., Laha, A., Lemettinen, J., Kauppinen, C., Kim, I., Suihkonen, S., Gribisch, P. & Osten, H. J., 5 elokuuta 2019, julkaisussa : Applied Physics Letters. 115, 6, 063502.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • In-situ annealing characterization of atomic-layer-deposited Al2O3 in N2 , H2 and vacuum atmospheres

    Broas, M., Lemettinen, J., Sajavaara, T., Tilli, M., Vuorinen, V., Suihkonen, S. & Paulasto-Kröckel, M., 31 heinäkuuta 2019, julkaisussa : Thin Solid Films. 682, s. 147-155 9 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • Nitrogen-polar polarization-doped field-effect transistor based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC with drain current over 100 mA/mm

    Lemettinen, J., Chowdhury, N., Okumura, H., Kim, I., Suihkonen, S. & Palacios, T., 1 elokuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 8, s. 1245-1248 4 Sivumäärä, 8741077.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • 5 Sitaatiot (Scopus)

    P-Channel GaN transistor based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si

    Chowdhury, N., Lemettinen, J., Xie, Q., Zhang, Y., Rajput, N. S., Xiang, P., Cheng, K., Suihkonen, S., Then, H. W. & Palacios, T., 1 heinäkuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 7, s. 1036-1039 4 Sivumäärä, 8713471.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • 12 Sitaatiot (Scopus)

    Site-specific growth of oriented ZnO nanocrystal arrays

    Bai, R., Pandya, D., Chaudhary, S., Dhaka, V., Khayrudinov, V., Lemettinen, J., Kauppinen, C. & Lipsanen, H., 1 tammikuuta 2019, julkaisussa : Beilstein Journal of Nanotechnology. 9, 1, s. 274-280 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 1 Sitaatiot (Scopus)
    116 Lataukset (Pure)

    Projektit

    • 3 Päättynyt

    NP-NANO: Emerging nanophotonic devices using advanced materials

    Lipsanen, H., Mäntynen, H., Lemettinen, J., Peygambarian, N., Matikainen, A., Holmi, J., Khayrudinov, V., Mackenzie, D., Autere, A. & Säynätjoki, A.

    01/10/201301/05/2019

    Projekti: Business Finland: Other research funding

    Electromechanical quantum coherent systems

    Sillanpää, M., Ockeloen-Korppi, C., Lemettinen, J., Paraoanu, G., Kervinen, M. & Damskägg, E.

    01/01/201031/10/2015

    Projekti: EU: ERC grants

    Aktiviteetit

    • 2 Vierailu ulkomaille

    Massachusetts Institute of Technology

    Jori Lemettinen (Visiting researcher)
    1 heinäkuuta 201830 kesäkuuta 2019

    Aktiviteetti: Vierailu ulkomaille

    Karlsruhe Institute of Technology

    Jori Lemettinen (Visiting researcher)
    13 huhtikuuta 201617 huhtikuuta 2016

    Aktiviteetti: Vierailu ulkomaille

    Lehtileikkeet

    A SOI Wafer Is A Suitable Substrate For Gallium Nitride Crystals

    Sami Suihkonen & Jori Lemettinen

    03/03/201708/03/2017

    2 kohdetta/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

    A SOI wafer is a suitable substrate for gallium nitride crystals

    Sami Suihkonen, Jori Lemettinen, Christoffer Kauppinen & Turkka Tuomi

    02/03/201706/03/2017

    7 kohdetta/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

    Silicon On Insulator Wafer Proves Useful for Microelectronics

    Sami Suihkonen & Jori Lemettinen

    06/03/2017

    1 kohde/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

    SOI Wafer is a Suitable Substrate for GaN Crystals

    Sami Suihkonen & Jori Lemettinen

    03/03/2017

    1 kohde/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa

    GaN on SOI wafer promises higher-performance power, RF devices

    Jori Lemettinen

    03/03/2017

    2 kohdetta/ Medianäkyvyys

    Lehdistö/media: Esiintyminen mediassa