• Tietotie 3

20152020

Tutkimustuotoksia vuodessa

Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Tutkimustuotos

  • 7 Article
  • 1 Conference contribution
  • 1 Conference article
  • 1 Review Article
2020

MOVPE growth of GaN on patterned 6-inch Si wafer

Kim, I., Holmi, J., Raju, R., Haapalinna, A. & Suihkonen, S., 20 huhtikuuta 2020, julkaisussa : Journal of Physics Communications. 4, 4, s. 45010

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
20 Lataukset (Pure)
2019

Aluminum Nitride Transition Layer for Power Electronics Applications Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

Seppänen, H., Kim, I., Etula, J., Ubyivovk, E., Buravlev, A. & Lipsanen, H., 28 tammikuuta 2019, julkaisussa : Materials. 12, 3, 8 Sivumäärä, 406.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
2 Sitaatiot (Scopus)
171 Lataukset (Pure)

Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application

Sarkar, R., Bhunia, S., Nag, D., Barik, B. C., Das Gupta, K., Saha, D., Ganguly, S., Laha, A., Lemettinen, J., Kauppinen, C., Kim, I., Suihkonen, S., Gribisch, P. & Osten, H. J., 5 elokuuta 2019, julkaisussa : Applied Physics Letters. 115, 6, 063502.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
1 Sitaatiot (Scopus)
10 Lataukset (Pure)

Nitrogen-polar polarization-doped field-effect transistor based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC with drain current over 100 mA/mm

Lemettinen, J., Chowdhury, N., Okumura, H., Kim, I., Suihkonen, S. & Palacios, T., 1 elokuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 8, s. 1245-1248 4 Sivumäärä, 8741077.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)

Selective area epitaxy of n+-GaN layers on SiO2 patterned GaN/c-Al2O3 templates by PA MBE

Shubina, K. Y., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Mokhov, D. V., Nikitina, E. V., Kim, I. & Bouravleuv, A. D., 20 joulukuuta 2019, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012014.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliConference articleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
25 Lataukset (Pure)
2018

MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC

Lemettinen, J., Okumura, H., Kim, I., Rudzinski, M., Grzonka, J., Palacios, T. & Suihkonen, S., 1 huhtikuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 487, s. 50-56 7 Sivumäärä

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
16 Sitaatiot (Scopus)
17 Lataukset (Pure)

MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality

Lemettinen, J., Okumura, H., Kim, I., Kauppinen, C., Palacios, T. & Suihkonen, S., 1 huhtikuuta 2018, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 487, s. 12-16 5 Sivumäärä

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
6 Sitaatiot (Scopus)
13 Lataukset (Pure)
2017

Diffusion-Driven Charge Transport in Light Emitting Devices

Kim, I., Kivisaari, P., Oksanen, J. & Suihkonen, S., 12 joulukuuta 2017, julkaisussa : Materials. 10, 12, s. 1-17 17 Sivumäärä, 1421.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliReview ArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
2 Sitaatiot (Scopus)
105 Lataukset (Pure)

Elimination of Lateral Resistance and Current Crowding in Large-Area LEDs by Composition Grading and Diffusion-Driven Charge Transport

Kivisaari, P., Kim, I., Suihkonen, S. & Oksanen, J., kesäkuuta 2017, julkaisussa : Advanced Electronic Materials. 3, 6, 6 Sivumäärä, 1700103.

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

8 Sitaatiot (Scopus)

Elimination of resistive losses in large-area LEDs by new diffusion-driven devices

Kivisaari, P., Kim, I., Suihkonen, S. & Oksanen, J., 2017, Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXI. Kim, JK., Krames, MR., Tu, LW. & Strassburg, M. (toim.). SPIE - The International Society for Optical Engineering, 101240Z. (Proceedings of SPIE : the International Society for Optical Engineering; Vuosikerta 10124).

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
3 Sitaatiot (Scopus)
5 Lataukset (Pure)