• Tietotie 3

20152020

Tutkimustuotoksia vuodessa

Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Henkilökohtainen profiili

Koulutus / tieteellinen pätevyys

Diplomi-insinööri

Diplomi-insinööri, Saint Petersburg Electrotechnical University

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Iurii Kim on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • 13 Samanlaiset profiilit

Verkko Viimeisin maatasolla toteutettu yhteistyö. Saat syvempiä lisätietoja pisteitä napsauttamalla.

Tutkimustuotos

  • 7 Article
  • 1 Conference contribution
  • 1 Conference article
  • 1 Review Article

MOVPE growth of GaN on patterned 6-inch Si wafer

Kim, I., Holmi, J., Raju, R., Haapalinna, A. & Suihkonen, S., 20 huhtikuuta 2020, julkaisussa : Journal of Physics Communications. 4, 4, s. 45010

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Open access
Tiedosto
  • 13 Lataukset (Pure)

    Aluminum Nitride Transition Layer for Power Electronics Applications Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

    Seppänen, H., Kim, I., Etula, J., Ubyivovk, E., Buravlev, A. & Lipsanen, H., 28 tammikuuta 2019, julkaisussa : Materials. 12, 3, 8 Sivumäärä, 406.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 2 Sitaatiot (Scopus)
    167 Lataukset (Pure)

    Epi-Gd2O3/AlGaN/GaN MOS HEMT on 150 mm Si wafer: A fully epitaxial system for high power application

    Sarkar, R., Bhunia, S., Nag, D., Barik, B. C., Das Gupta, K., Saha, D., Ganguly, S., Laha, A., Lemettinen, J., Kauppinen, C., Kim, I., Suihkonen, S., Gribisch, P. & Osten, H. J., 5 elokuuta 2019, julkaisussa : Applied Physics Letters. 115, 6, 063502.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 1 Sitaatiot (Scopus)

    Nitrogen-polar polarization-doped field-effect transistor based on Al0.8Ga0.2N/AlN on SiC with drain current over 100 mA/mm

    Lemettinen, J., Chowdhury, N., Okumura, H., Kim, I., Suihkonen, S. & Palacios, T., 1 elokuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 8, s. 1245-1248 4 Sivumäärä, 8741077.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • 5 Sitaatiot (Scopus)

    Selective area epitaxy of n+-GaN layers on SiO2 patterned GaN/c-Al2O3 templates by PA MBE

    Shubina, K. Y., Mizerov, A. M., Timoshnev, S. N., Mokhov, D. V., Nikitina, E. V., Kim, I. & Bouravleuv, A. D., 20 joulukuuta 2019, julkaisussa : Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012014.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliConference articleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 21 Lataukset (Pure)

    Projektit

    Typpi-polaareihin nitridimateriaaleihin pohjautuvat korkean hyötysuhteen tehokomponentit

    Suihkonen, S. & Kim, I.

    01/09/201931/08/2021

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Valon termodynamiikkaan perustuvat lämmitys- ja jäähdytysratkaisut

    Khayrudinov, V., Raju, R., Kim, I., Suihkonen, S., Sippola, P., Lipsanen, H., Mäntynen, H. & Isakov, K.

    01/01/201531/12/2018

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Aktiviteetit

    • 1 Opinnot ulkomailla

    European School On Nanosciences & Nanotechnologies (ESONN)

    Iurii Kim (Student)
    27 elokuuta 201716 syyskuuta 2017

    Aktiviteetti: Opinnot ulkomailla

    Tiedosto