Jos olet muokannut tietoja Puressa, ne näkyvät pian tässä.

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin, joissa Ilja Makkonen on aktiivinen. Nämä aihemerkinnät ovat peräisin tämän henkilön teoksista. Yhdessä ne muodostavat ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • 11 Samanlaiset profiilit

Verkko Viimeisin maatasolla toteutettu yhteistyö. Saat syvempiä lisätietoja pisteitä napsauttamalla.

Tutkimustuotos

A demonstration of donor passivation through direct formation of V-As_i complexes in As-doped Ge_1−xSn_x

Khanam, A., Vohra, A., Slotte, J., Makkonen, I., Loo, R. & Pourtois, G., 15 toukokuuta 2020, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 127, 9, s. 0-7 7 Sivumäärä

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • Effect of interstitial carbon on the evolution of early-stage irradiation damage in equi-atomic FeMnNiCoCr high-entropy alloys

    Lu, E., Makkonen, I., Mizohata, K., Li, Z., Räisänen, J. & Tuomisto, F., 14 tammikuuta 2020, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 127, 2, s. 1-7 7 Sivumäärä, 025103.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • 2 Sitaatiot (Scopus)

    Segregation of Ni at early stages of radiation damage in NiCoFeCr solid solution alloys

    Tuomisto, F., Makkonen, I., Heikinheimo, J., Granberg, F., Djurabekova, F., Nordlund, K., Velisa, G., Bei, H., Xue, H., Weber, W. J. & Zhang, Y., 1 syyskuuta 2020, julkaisussa : Acta Materialia. 196, s. 44-51 8 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 5 Lataukset (Pure)

    Source/Drain Materials for Ge nMOS Devices: Phosphorus Activation in Epitaxial Si, Ge, Ge1-xSnx and SiyGe1-x-ySnx

    Vohra, A., Makkonen, I., Pourtois, G., Slotte, J., Porret, C., Rosseel, E., Khanam, A., Tirrito, M., Douhard, B., Loo, R. & Vandervorst, W., 7 toukokuuta 2020, julkaisussa : ECS Journal of Solid State Science and Technology. 9, 4, s. 1-13 13 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    Open access
    Tiedosto
  • 4 Lataukset (Pure)

    TiSrantisite: An abundant point defect in SrTiO3

    Karjalainen, A., Prozheeva, V., Makkonen, I., Guguschev, C., Markurt, T., Bickermann, M. & Tuomisto, F., 28 kesäkuuta 2020, julkaisussa : Journal of Applied Physics. 127, 24, 9 Sivumäärä, 245702.

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

  • Projektit

    • 3 Päättynyt

    Suuren mittakaavan elektronirakennelaskutekniikat materiaalien karakterisoinnin avuksi

    Simula, K. & Makkonen, I.

    01/09/201808/11/2019

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Suuren mittakaavan elektronirakennelaskutekniikat materiaalien karakterisoinnin avuksi

    Makkonen, I., Simula, K. & Prozheeva, V.

    01/09/201521/09/2018

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

    Suuren mittakaavan elektronirakennelaskutekniikat materiaalien karakterisoinnin avuksi

    Makkonen, I.

    01/09/201522/09/2019

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding