Heli Seppänen

Tohtorikoulutettava

Tutkimustuotokset

  1. 2019
  2. Julkaistu

    Atomic layer deposition of piezoelectric aluminum nitride thin films

    Österlund, E., Seppänen, H. & Paulasto-Kröckel, M., 16 heinäkuuta 2019.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa

  3. Sähköinen julkaisu (e-pub) ennen painettua julkistusta
  4. Julkaistu

    Aluminum Nitride Transition Layer for Power Electronics Applications Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

    Seppänen, H., Kim, I., Etula, J., Ubyivovk, E., Buravlev, A. & Lipsanen, H., 28 tammikuuta 2019, julkaisussa : Materials. 12, 3, 8 Sivumäärä, 406.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

  5. 2018
  6. Julkaistu

    Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

    Repo, P., Bao, Y., Seppanen, H., Sippola, P. & Savin, H., 25 toukokuuta 2018, 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2017. Institute of Electrical and Electronics Engineers, s. 1-4 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

ID: 21466835