Harri Lipsanen

Professori

Tutkimustuotokset

  1. 1996
  2. Julkaistu

    Mesoscopic and Atomic Zeeman Effects in Quantum Well Dots Induced by Coherent InP Islands

    Tulkki, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Brasken, M., Lindberg, M., Ahopelto, J., Rinaldi, R., Giugno, P. & Cingolani, R., 1996, The Physics on Semiconductors. Proceedings of 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, 1996, Berlin. by M. Scheffler, E. & Zimmermann, R. (toim.). Berlin, Germany, s. 1373-1376

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    Mesoscopic Zeeman effect in parabolic quantum dots

    Rinaldi, R., Giugno, P., Cingolani, R., Lipsanen, H., Sopanen, M., Tulkki, J. & Ahopelto, J., 1996, Lago Maggiore, Italy, (15th General Conference of the Condensed Matter Division of EPS, Lago Maggiore, Italy 22-25 April 1996).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  4. Julkaistu

    Optical characterisation of self organised InGaAs/InP heterodots

    Guasch, C., Ahopelto, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Tang, Y. & Sotomayor Torres, C., 1996, Proceedings of 23rd International Symposium on Compound Semiconductors (IOP Publishing Limited, UK) St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996. St Petersburg, Russia

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    Optical characterization of self-organized InGaAs/GaAs heterodots

    Guasch, C., Ahopelto, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Tang, Y. & Sotomayor Torres, C., 1996, 1996 ECAMI Workshop on Nanostructures and Mesoscopic Systems, Ottawa, Institute of Microstructural Sciences, National Research Council of Canada, 12-14 June 1996. Ottawa, Canada

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    Red luminescence from strain-induced GaInP quantum dots

    Sopanen, M., Taskinen, M., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 1996, julkaisussa : Applied Physics Letters. 69, 22, s. 3393-3395 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    Relaxation and Recombination Dynamics of Optically Generated Carriers in Strain-Induced InGaAs/GaAs Quantum Dots

    Grosse, S., Sandmann, J., von Plessen, G., Feldmann, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Tulkki, J. & Ahopelto, J., 1996, Berlin, Germany, s. 1401-1404, (The Physics of Semiconductors. Proceedings of 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin 1996).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  8. Julkaistu

    Synchrotron X-ray topographic study of strain in silicon wafers with integrated circuits

    Karilahti, M., Tuomi, T., Taskinen, M., Tulkki, J., Lipsanen, H. & McNally, P., 1996, Palermo, Italy, s. 132, (3rd European Symposium on X-ray topography and high resolution diffraction (X-TOP'96), Palermo, Italy, 22-24 April 1996).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  9. Julkaistu

    Untersuchung der Relaxationsdynamik optisch generierter Ladungsträger in verspannungsinduzierten InGaAs Quantenpunkten

    Grosse, S., Sandmann, J., Feldmann, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Tulkki, J. & Ahopelto, J., 1996, Die 60. Physikertagung der Deutsche Physikalische Gesellschaft, Jena, 18-23 März 1996.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    Visible Luminescence from Quantum Dots Induced by Self-Organized Stressors

    Sopanen, M., Taskinen, M., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 1996, Berlin, Germany, s. 1409-1412, (The Physics of Semiconductors. Proceedings of 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, 1996).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  11. 1995
  12. Julkaistu

    Growth of high-quality GaSb by metalorganic vapor phase epitaxy.

    Sopanen, M., Koljonen, T., Lipsanen, H. & Tuomi, T., marraskuuta 1995, julkaisussa : Journal of Electronic Materials. 24, 11, s. 1691-1696 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    Recombination processes in strain-induced InGaAs quantum dots

    Sandmann, J., Grosse, S., Feldmann, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Tulkki, J. & Ahopelto, J., marraskuuta 1995, julkaisussa : NUOVO CIMENTO DELLA SOCIETA ITALIANA DI FISICA D: CONDENSED MATTER, ATOMIC, MOLECULAR AND CHEMICAL PHYSICS, BIOPHYSICS. 17, 11-12, s. 1699-1703 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. Julkaistu

    Modeling, fabrication and characterization of 1.43 my m InGaAsP/InP separate confinement heterostructure multiple quantum-well lasers.

    Taskinen, M., Heinämäki, A., Lipsanen, H., Tulkki, J. & Tuomi, T., 1 syyskuuta 1995, julkaisussa : Optical engineering. 34, 9, s. 2527-2531 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  15. Julkaistu

    Luminescence from excited states in strain-induced In_(x)Ga_(1-x)As quantum dots

    Lipsanen, H., Sopanen, M. & Ahopelto, J., 15 toukokuuta 1995, julkaisussa : Physical Review B. 51, 19, s. 13868-13871 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  16. Julkaistu

    Optical Spectroscopy of Bragg Confined Transitions in a Superlattice with Multiquantum Barriers

    Lipsanen, H., Taskinen, K. & Airaksinen, V. M., helmikuuta 1995, julkaisussa : Solid State Communications. 93, 6, s. 525-528 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  17. Julkaistu
  18. Julkaistu
  19. Julkaistu

    Fabrication, characterization and modelling of stain-induced quantum dots.

    Lipsanen, H., Sopanen, M., Ahopelto, J., Heinämäki, A., Tulkki, J. & Tuomi, T., 1995, Jyväskylä, s. 7.

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  20. Julkaistu

    InGaAs quantum dots induced by self-organized InP stressors.

    Lipsanen, H., Ahopelto, J. & Sopanen, M., 1995, Sapporo, Japan, s. s.

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  21. Julkaistu

    Modelling, fabrication and xharacterisation of 1.43 my m InGaAsp/InP quantum-well lasers.

    Taskinen, M., Heinämäki, A., Lipsanen, H., Tulkki, J. & Tuomi, T., 1995, Jyväskylä, s. 7.

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  22. Julkaistu

    Optical properties of self-organized InGaAs/InP dots

    Ahopelto, J., Lipsanen, H. & Sopanen, M., 1995, Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1995. IEEE, s. 311-314 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  23. Julkaistu

    Optical properties of self-organized InGaAs/InP dots.

    Lipsanen, H., Ahopelto, J. & Sopanen, M., 1995, Sapporo, Japan, s. s.

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  24. Julkaistu

    Recombination processes in strain-induced InGaAs quantum dots.

    Lipsanen, H., Sandman, J., Grosse, S., Feldmann, J., Gobel, E. O., Sopanen, M. & Ahopelto, J., 1995, Cortona, Italy, s. s.

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  25. Julkaistu

    Self-organized growth of InP islands on GaAs for the fabrication of strain-induced quantum dots.

    Sopanen, M., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 1995, Forth Myers, Florida, s. s.

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  26. Julkaistu

    Self-organized InP islands on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy.

    Sopanen, M., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 1995, julkaisussa : Applied Physics Letters. 67, 25, s. 3768-3770 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  27. Julkaistu

    Strain-induced quantum dots by self-organized stressors

    Sopanen, M., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 1995, julkaisussa : Applied Physics Letters. 66, 18, s. 2364-2366 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  28. Julkaistu

    Synchrotron X-ray topographic studies of strain in silicon wafers with integrated circuits.

    Tuomi, T., Karilahti, M., Äyräs, P., Lipsanen, H. & McNally, P., 1995, Germany, s. 871-872.

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  29. 1994
  30. Julkaistu

    Growth of GaInAsSb using tertiarybutylarsine as arsenic source

    Sopanen, M., Koljonen, T., Lipsanen, H. & Tuomi, T., 2 joulukuuta 1994, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 145, 1-4, s. 492-497 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  31. Julkaistu

    Photoluminescence of buried InGaAs grown on nanoscale InP islands by MOVPE

    Lipsanen, H., Ahopelto, J., Koljonen, T. & Sopanen, M., 2 joulukuuta 1994, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 145, 1-4, s. 988-989 2 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  32. Julkaistu

    Growth and Characterization of a GaAs/AlAs Superlattice with Variable Layer Thicknesses

    Lipsanen, H. K. & Airaksinen, V. M., toukokuuta 1994, julkaisussa : Journal of Electronic Materials. 23, 5, s. 465-470 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  33. Julkaistu

    Fabrication of Nanostructures using MBE and MOVPE

    Ahopelto, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Koljonen, T., Tuomi, T., Airaksinen, V. M., Sinkkonen, J. & Siren, E., 1994, julkaisussa : Physica Scripta. 1994, T54, s. 241-243 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  34. Julkaistu

    Growth of AlxGa1-xSb and AlxGa1-xAsySb1-y epilayers on GaSb substrates using all-organometallic sources

    Koljonen, T., Sopanen, M., Lipsanen, H. & Tuomi, T., 1994, Espoo, s. 15-16, (Optoelectronics Laboratory, Annual Report 1993; nro TKK-F-C160).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  35. Julkaistu

    Growth of InGaSb and GaSb on GaSb substrates by atmospheric pressure MOVPE

    Sopanen, M., Koljonen, T., Lipsanen, H. & Hjelt, K., 1994, Espoo, s. 19-21, (Optoelectronics Laboratory; nro TKK-F-C160).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  36. Julkaistu

    Interference effects in photoreflectance of epitaxial layers grown on semi-insulating substrates

    Lipsanen, H. K. & Airaksinen, V. M., 1994, Espoo, s. 27-29, (Optoelectronics Laboratory, Annual Report 1993; nro TKK-F-C160).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  37. Julkaistu

    Metallo organic vapour phase epitaxy of III-V semiconductors

    Sopanen, M., Koljonen, T., Lipsanen, H., Taskinen, M. & Tuomi, T., 1994, Helsinki, s. paper 12:16, (Report Series in Physics; nro HU-P-260 (1994)).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  38. Julkaistu

    MOVPE growth of GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs and InGaAsP using all-organometallic sources

    Sopanen, M., Lipsanen, H., Koljonen, T., Ahopelto, J. & Taskinen, M., 1994, Espoo, s. 22-24, (Optoelectronics Laboratory, Annual Report 1993; nro TKK-F-C160).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  39. Julkaistu

    MOVPE growth of GaInAsSb using tertiarybutylarsine as arsenic source

    Sopanen, M., Koljonen, T. & Lipsanen, H., 1994, Espoo, s. 25-26, (Optoelectronics Laboratory, Annual Report 1993; nro TKK-F-C160).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  40. Julkaistu

    Photoluminescene of buried InGaAs grown on nanoscale InP islands by MOVPE

    Lipsanen, H., Ahopelto, J., Koljonen, T. & Sopanen, M., 1994, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 145, s. 988-989

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  41. Julkaistu
  42. Julkaistu

    Selective growth of InGaAs on nanoscale InP islands

    Ahopelto, J., Lipsanen, H., Sopanen, M., Koljonen, T. & Niemi, H., 1994, julkaisussa : Applied Physics Letters. 65, 13, s. 1662-1664 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  43. Julkaistu

    Self-organising growth of nanoscale heterostructures: Selective growth of InGaAs on InP dots

    Ahopelto, J., Lipsanen, H., Sopanen, M. & Niemi, HE-M., 1994, Phantoms Meeting Phasdom, Dublin, Ireland, October 3-6, 1994. s. 2

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  44. Julkaistu

    Self-organizing growth of InGaAs on nanoscale InP islands

    Ahopelto, J., Lipsanen, H., Sopanen, M. & Koljonen, T., 1994, Sixth International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Santa Barbara, USA, March 28-31, 1994. USA, s. Paper PDB 4

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  45. Julkaistu

    X-ray diffraction study of GaSb on GaAs grown by MOVPE

    Lipsanen, H., Koljonen, T., Sopanen, M. & Tuomi, T., 1994, Espoo, s. 17-18, (Optoelectronics Laboratory, Annual Report 1993; nro TKK-F-C160).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  46. 1993
  47. Julkaistu

    Praseodymium dioxide doping of In1-xGaxAsyP1-y epilayer grown with liquid phase epitaxy

    Hjelt, K. T., Sopanen, M. A., Lipsanen, H. K., Tuomi, T. O. & Hasenohrl, S., 1 tammikuuta 1993, RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS. Pomrenke, G. S., Klein, P. B. & Langer, D. W. (toim.). Materials Research Society MRS, s. 27-32 6 Sivumäärä (MRS Proceedings ; painos 301).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  48. Julkaistu

    Accurate determination of the layer thicnesses of a GaAs/AlAs superlattice

    Lipsanen, H. K., Tuominen, M. & Airaksinen, V. M., 1993, Espoo, s. 20-22, (Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology; nro TKK-F-C148).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  49. Julkaistu

    Interference Effects in Photoreflectance of Epitaxial Layers Grown on Semi-insulating Substrates

    Lipsanen, H. K. & Airaksinen, V. M., 1993, julkaisussa : Applied Physics Letters. 63, 21, s. 2863-2865 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  50. Julkaistu

    Liquid phase epitaxial growth of GaSb layers from Ga- and Sn-rich melts

    Koljonen, T., Sopanen, M., Hjelt, K., Lipsanen, H. & Tuomi, T., 1993, The XXVII Annual Conference of the Finnish Physical Society, March 18-20, 1993. The Finnish Physical Society, s. paper 25:14

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  51. Julkaistu

    Metallo-organic vapor phase system

    Lipsanen, H., Hjelt, K., Koljonen, T., Sopanen, M. & Tuomi, T., 1993, Espoo, s. 12-13, (Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology; nro TKK-F-C148).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  52. Julkaistu

    Optical and electronic properties of praseodymium dioxide doped In_(1-x)Ga_(x)As_(y)P_(1-y) layers grown with liquid phase epitaxy

    Hjelt, K., Sopanen, M., Lipsanen, H., Tuomi, T. & Hasenöhrl, S., 1993, The XXVII Annual Conference of the Finnish Physical Society, Turku, March 18-20, 1993. The Finnish Physical Society, s. paper 25:15

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  53. Julkaistu

    Photoluminescence of GaSb wafers and LPE grown layers

    Sopanen, M., Hjelt, K., Koljonen, T., Lipsanen, H., Koponen, M. & Tuomi, T., 1993, The XXVII Annual Conference of the Finnish Physical Society, Turku, March 18-20,1993. The Finnish Physical Society, s. paper 25:13

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  54. Julkaistu

    Photoreflectance of Bragg confined transitions in a superlattice with multiquantum barries

    Lipsanen, H. K., Airaksinen, V. M. & Taskinen, K., 1993, Espoo, s. 17-19, (Optoelectronics Laboratory, Helsinki University of Technology; nro TKK-F-C148).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

ID: 53661