Harri Lipsanen

Professori

Tutkimustuotokset

  1. 2005
  2. Julkaistu

    Low Temterature GaAs on Ge substrate bu metalorganic vapor phase epitaxy

    Knuuttila, L., Lankinen, A. & Lipsanen, H., 2005, (11th European Workshop on Metalorganic Vapour phase Epitaxy, Lausanne, Switzerland, 5-8 June 2005).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  3. Julkaistu

    Modified self-assembly of InAs islands acting as stressors for strain-induced InGaAS(P)/InP

    Sormunen, J., Riikonen, J., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2005, julkaisussa : Nanotechnology. 16, 9, s. 1630-1635 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    Modulation of GaAs(100) surface morphology by ultra-thin MOVPE grown InP layers

    Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2005, s. 118-118, (AIP Conference Proceedings 772).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  5. Julkaistu

    Modulation of GaAs(100) surface morphology by ultra-thin MOVPE grown InP layers

    Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2005, Physics of Semiconductors, Parts A and B. Menendez, J. & VanDeWalle, CG. (toim.). AIP, s. 117-118 2 Sivumäärä (AIP Conference Proceedings ; painos 772).

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  6. Julkaistu

    Photonic crystal slabs with ring-shaped holes in a triangular lattice

    Mulot, M., Säynätjoki, A., Arpiainen, S., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 2005, Proceedings of 2005 7th International Conference on Transparent Optical Networks, ICTON 2005. IEEE, Vuosikerta 1. s. 155-158 4 Sivumäärä 1505773

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    Photonic Crystal Slabs with Ring-Shaped holes in a Triangular Lattice

    Mulot, M., Säynätjoki, A., Arpiainen, S., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 2005, (7th International Conference on Transparent Optical Networks, Barcelona Spain, 3-7 July).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  8. Julkaistu

    Transformation of Self-Assembled InAs/InP Quantum Dots into Quantum Rings without Capping

    Sormunen, J., Riikonen, J., Mattila, M., Tiilikainen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2005, julkaisussa : Nano Letters. 5, 8, s. 1541-1543 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  9. 2004
  10. Julkaistu

    Passivation of GaAS surface by ultrathin epitaxial GaN layer

    Riikonen, J., Sormunen, J., Koskenvaara, H., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 10 joulukuuta 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 272, 1-4, s. 621-626 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  11. Julkaistu

    Self assembled In(Ga)As islands on Ge substrate

    Knuuttila, L., Korkala, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 10 joulukuuta 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 272, 1-4, s. 221-226 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  12. Julkaistu

    GaN/GaAs(100) superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy using dimethylhydrazine precursor

    Sormunen, J., Riikonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 1 lokakuuta 2004, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 270, 3-4, s. 346-350 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  13. Julkaistu

    The morphology of an InP wettig layer on GaAs

    Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 15 toukokuuta 2004, julkaisussa : Applied Surface Science. 229, 1-4, s. 333-337 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  14. Julkaistu

    Morphology of ultra-thin cubic GaN layers on GaAs(100) grown by MOVPE with DMHy as nitrogen source

    Sormunen, J., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 30 tammikuuta 2004, julkaisussa : Applied Surface Science. 222, 1-4, s. 286-292 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  15. Julkaistu

    Applications of thin GaN layers in GaAs heterostuctures grown using DMHy

    Sormunen, J., Riikonen, J., Koskenvaara, H., Mattila, M., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2004, IC-MOVPE XII, Hawaii, Usa, June 2004.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  16. Julkaistu

    Ga(In)NAs growth parameter optimization with low-pressure and atmospheric-pressure MOVPE systems

    Reentilä, O., Mattila, M., Toivonen, J., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2004, 2nd International Workshop on Metastable Combound Semiconductors and Heterostructures, 31.3-3.3.2004, Hawaii, USA.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  17. Julkaistu

    Growth parameter optimization for high nitrogen content Ga(In)NAs by MOVPE

    Mattila, M., Sormunen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2004, 12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 30.5-4.6.2004.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  18. Julkaistu

    High-index-contrast Optical Weveguides on Silicon

    Säynätjoki, A., Arpiainen, S., Ahopelto, J. & Lipsanen, H., 2004, (International Conference on Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA, 26-30 July 2004).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  19. Julkaistu
  20. Julkaistu

    Structural and optical properties of GaInNAs/GaAs quantum structures

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Koskenvaara, H., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2004, julkaisussa : Journal of physics: Condensed matter. 16, 31, s. S3009-S3026 18 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  21. Julkaistu

    Synchrotron study of InSb, Ge, GaAs and InAs p-i-n detector materials and structures

    Säynätjoki, A., Tuomi, T., Lipsanen, H., Lankinen, A., Kostamo, P., Riikonen, J., Knuuttila, L., Sormunen, J. & Danilewski, A., 2004, Annual report of ANKA, Angsrtoemquelle Karlsruhe, 2004.

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  22. Julkaistu

    Synchrotron x-ray topography study of defects in indium antimonide p-i-n structures grown by metal organic vapour phase epitaxy

    Riikonen, J., Tuomi, T., Lankinen, A., Sormunen, J., Säynätjoki, A., Knuuttila, L., Lipsanen, H., McNally, P. J., Danilewsky, A., Sipilä, H., Vaijärvi, S., Lumb, D. & Owens, A., 2004, Hampuri, (HASYLAB Annual Report 2004).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  23. Julkaistu

    Synchrotron X-ray Topography Study of Defects in Indium Antimonide P-I-N Structures Grown by Metal Organic Vapour Phase Epitaxy

    Riikonen, J., Tuomi, T., Lankinen, A., Sormunen, J., Säynätjoki, A., Knuuttila, L., Lipsanen, H., McNally, P. J., Danilewsky, A., Sipilä, H., Vaijärvi, S., Lumb, D. & Owens, A., 2004, (Materials for Microelectronics and Nanoengineering 5th International Conference).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  24. Julkaistu

    Valolla vauhtia viestintään

    Reentilä, O., Mattila, M., Lipsanen, H., Yliniemi, S. & Honkanen, S., 2004, julkaisussa : Prosessori.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  25. 2003
  26. Julkaistu

    Growth of GaAs on polycrystalline silicon-on-insulator

    Riikonen, J., Säynätjoki, A., Sopanen, M., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 403-405 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  27. Julkaistu

    In(Ga)As quantum dots on Ge substrate

    Knuuttila, L., Kainu, K., Sopanen, M. & Lipsanen, H., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 349-352 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  28. Julkaistu

    Misfit dislocations in GaAsN/GaAs interface

    Toivonen, J., Tuomi, T., Riikonen, J., Knuuttila, L., Hakkarainen, T., Sopanen, M., Lipsanen, H., McNally, P. J., Chen, W. & Lowney, D., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 267-270 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  29. Julkaistu

    Optical waveguides on polysilicon-on-insulator

    Säynätjoki, A., Riikonen, J., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 417-420 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  30. Julkaistu

    Photoluminescence study of strain induced GaInNAs/GaAs quantum dots

    Koskenvaara, H., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., toukokuuta 2003, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 14, 5, s. 357-360 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  31. Julkaistu

    Wavelength extension of GaInAs/GaIn(N)As quantum dot structures grown on GaAs

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., helmikuuta 2003, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 248, s. 339-342 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  32. Julkaistu

    Effect of post-growth laser treatment on optical properties of Ga(In)NAs quantum wells

    Toivonen, J., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2003, julkaisussa : IEE Proceedings-Optoelectronics. 150, 1, s. 68-71 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  33. Julkaistu

    Observation of defect complexes containing Ga vacancies in GaAsN

    Toivonen, J., Hakkarainen, T., Sopanen, M., Lipsanen, H., Oila, J. & Saarinen, K., 2003, julkaisussa : Applied Physics Letters. 82, 1, s. 40-42 3 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  34. Julkaistu

    Optical waveguides on polysilicon-on-insulator

    Säynätjoki, A., Riikonen, J. & Lipsanen, H., 2003, s. 137, (Northern Optics 2003 conference, Espoo, 16-18 June, 2003).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  35. 2002
  36. Julkaistu

    GaInNAs quantum well structures for 1.55 µm emission on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., helmikuuta 2002, julkaisussa : Journal of Crystal Growth. 234, 4, s. 631-636 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  37. Julkaistu

    Effect of growth conditions on the defect transitions in Ga(In)NAs

    Toivonen, J., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2002, (11th International Conference on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy, Berlin, Germany, June 3-7, 2002).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  38. Julkaistu

    Growth of self-assembled GaIn(N)As quantum dots by atmospheric pressure metal-organic vapor phase epitaxy

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2002, (14th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2002), Stockholm, Sweden, May 12-16, 2002).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  39. Julkaistu

    In (Ga)As quantum dots on Ge substrate

    Knuuttila, L., Kainu, K., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2002, s. 217-220, (The 4th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering ICMMN-4, Espoo, Finland, 10-12 June, 2002).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  40. Julkaistu

    Integration of GaAs-based light emitter with poly-SOI

    Riikonen, J., Säynätjoki, A., Lankinen, A., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 2002, The 4th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering ICMMN-4, Espoo, Finland, 10-12 June, 2002. s. 115-118

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  41. Julkaistu

    Misfit dislocations in GaAsN-GaAs interface

    Toivonen, J., Tuomi, T., Riikonen, J., Knuuttila, L., Hakkarainen, T., Sopanen, M., Lipsanen, H., McNally, P. J., Chen, W. & Lowney, D., 2002, The 4th International Conf. Materials for Microelectronics and Nanoengineering ICMMN-4, Espoo Finland, 10-12 June, 2002. s. 21-24

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  42. Julkaistu

    Optical waveguides on polysilicon-on-insulator

    Säynätjoki, A., Riikonen, J., Reentilä, O., Lipsanen, H. & Ahopelto, J., 2002, s. 275-278, (The 4th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering, ICMMN-4, Espoo, Finland, 10-12 June, 2002).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  43. Julkaistu

    Photoluminescence study of strain induced GaInNAs/GaAs quantum dots

    Koskenvaara, H., Hakkarainen, T., Lipsanen, H. & Sopanen, M., 2002, s. 227-230, (The 4th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering ICMMN-4, Espoo, Finland, 10-12 June, 2002).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  44. Julkaistu

    Vacancy-type defects in GaAsN grown by metal-organic vapor phase epitaxy

    Toivonen, J., Oila, J., Saarinen, K., Hakkarainen, T., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2002, (14th International Conference on Idium Phosphide and Related Materials (IPRM 2002), Stockholm, Sweden, May 12-16, 2002).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  45. Julkaistu

    Wavelength extension of GaIn(N)As quantum dot structures grown on GaAs

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2002, (11th International Conference on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy, Berlin, Germany, June 3-7, 2002).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  46. 2001
  47. Julkaistu

    Doping and carrier transport in Ga1−3xIn3xNxAs1−x alloys

    Li, W., Pessa, M., Toivonen, J. & Lipsanen, H., 29 elokuuta 2001, julkaisussa : Physical Review B. 64, 11, s. 1-3 3 Sivumäärä, 113308.

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  48. Julkaistu

    Correlation effects in strain-induced quantum dots

    Rinaldi, R., DeVittorio, M., Cingolani, R., Hohenester, U., Molinari, E., Lipsanen, H., Tulkki, J., Ahopelto, J., Uchida, K., Miura, N. & Arakawa, Y., maaliskuuta 2001, julkaisussa : PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS. 224, 2, s. 361-366 6 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  49. Julkaistu

    Correlation effects in strain-induces quantum dots

    Rinaldi, R., DeVittorio, M., Cingolani, R., Hohenester, U., Molinari, E., Lipsanen, H., Tulkki, J., Ahopelto, J., Uchida, K., Miura, N. & Arakawa, Y., 2001, julkaisussa : Physica Status Solidi B. 224, 2, s. 361-366

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  50. Julkaistu

    Epitaxial growth of GaAs on silicon-on-ilsulator

    Riikonen, J., Knuuttila, L., Tuomi, T., Lipsanen, H., McNally, P. J., Kanatharana, J., Chen, W., Lowney, D. & Danilewsky, A. N., 2001, Hampuri, s. 859-860, (HASYLAB-DESY Annual Report 2000, Part I).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  51. Julkaistu

    Growth and defects of GaAsN layers on GaAs

    Toivonen, J., Tuomi, T., Riikonen, J., Knuuttila, L., Rantamäki, R., Sopanen, M., Lipsanen, H., McNally, P. J., Kanatharana, J., Chen, W. & Lowney, D., 2001, Hampuri, s. 861-862, (HASYLAB-DESY Annual Report 2000, Part I).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  52. Julkaistu

    Growth and optical properties of GaInNAs quantum wells

    Hakkarainen, T., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2001, Jyväskylä, s. 121, (XXXV Annual Conference of the Finnish Physical Society, Jyväskylä, Finland, March 22-24,2001).

    Tutkimustuotos: Työpaperi

  53. Julkaistu

    Longitudinal Stark effect in parabolic quantum dots

    Rinaldi, R., DeGiorgi, M., DeVittorio, M., Melcarne, A., Visconti, P., Cingolani, R., Lipsanen, H., Sopanen, M., Drufva, T. & Tulkki, J., 2001, julkaisussa : Japanese Journal of Applied Physics. 40, 3B, s. 2002-2005 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

  54. Julkaistu

    Nanoscale Structures of Luminescent Polymers in Thin Films

    Knaapila, M., Torkkeli, M., Mäkelä, T., Horsburgh, L. E., Lindfors, K., Koskenvaara, H., Jokela, K., Lipsanen, H., Ahlskog, M., Kaivola, M., Serimaa, R., Monkman, A. P., ten Brinke, G. & Ikkala, O., 2001, The XXXV Annual Conference of the Finnish Physical Society, March 22.-24. 2001, Jyväskylä, Finland. s. 258

    Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussavertaisarvioitu

  55. Julkaistu

    Pumping of quantum dots with surface acoustic waves

    Bödefeld, C., Wixfoth, A., Toivonen, J., Sopanen, M. & Lipsanen, H., 2001, julkaisussa : PHYSICA STATUS SOLIDI B: BASIC SOLID STATE PHYSICS. 224, 3, s. 703-706 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

ID: 53661